集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@10mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 10kΩ | 电阻比率 | 1 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTA114EKAT146 是一款由日本著名半导体制造商 ROHM(罗姆)生产的数字晶体管,适用于各种电子电路应用。该晶体管属于 PNP 型预偏压晶体管,具备优良的性能参数,特别是在小功率信号放大与开关应用中表现突出。其额定功率为 200mW,最大集电极电流(Ic)为 50mA,适合需要低功耗和高效能的电路设计。
1. 理论性能:
2. 饱和压降与电流增益:
DTA114EKAT146 的跃迁频率为 250MHz,这使得其能够在高频应用中保持良好的性能,如 RF 放大器和开关电源模块。在数字电路中,较高的频率特性对于取样和开关速度至关重要,因此该晶体管可广泛应用于数据通信、时钟生成及脉冲信号处理等领域。
DTA114EKAT146 的安装类型为表面贴装型(SMD),采用封装形式为 SMT3,兼容 TO-236-3、SC-59 和 SOT-23-3 封装。这种封装方案允许其在大规模电路板上进行自动化贴装,提高了生产效率和电路的可靠性。
电阻器应用:
合理配置基极与发射极电阻有助于稳定工作点,改善晶体管的高频响应,降低信号失真,并确保优化的增益。
DTA114EKAT146 特别适合用于以下应用:
总的来说,DTA114EKAT146 是一款性能卓越、适应性强的数字晶体管,凭借其高频特性、合理的功率等级及小巧的封装设计,成为现代电子设计中不可或缺的一部分。设计工程师在选择该器件时,可以充分考虑其在高频信号处理、小功率电压控制和数字电路中的广泛应用潜力。ROHM 作为全球知名的半导体制造商,其产品的可靠性与性能得到了业界的广泛认可,DTA114EKAT146 将是电子工程师理想的选择。