DTC114TETL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DTC114TETL

商品编码: BM0000286828
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT6
包装 : 
编带
重量 : 
0.022g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-416
库存 :
1285(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.0731
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.0731
--
3000+
¥0.058
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC114TETL参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1mA,5V
输入电阻10kΩ工作温度-25℃~+150℃

DTC114TETL手册

DTC114TETL概述

DTC114TETL 产品概述

DTC114TETL 是一款由 ROHM(罗姆)生产的高性能 NPN 晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,型号为 SOT-416(又称为 UMT6),广泛应用于多种电子电路中。该晶体管在许多电子应用中表现出优越的性能,包括信号放大、开关应用和数字电路等。

1. 基础参数概述

DTC114TETL 的关键参数包括:

  • 晶体管类型:该器件为 NPN 预偏压类型,适用于需要快速开关和放大信号的应用。
  • 最大集电极电流 (Ic):允许的最大集电极电流为 100mA,确保在多种负载情况下的可靠性。
  • 集射极击穿电压 (Vce):该晶体管的集射极击穿电压最大值为 50V,这意味着其在高电压应用环境下的稳定性。
  • 基极电阻 (R1):默认设置的基极电阻为 10 kΩ,有助于控制基极电流,有效避免过流现象。
  • DC电流增益 (hFE):在 1mA 基极电流和 5V 集射极电压条件下,最小电流增益达到 100,展示了良好的放大能力。
  • 最大集电极截止电流 (ICBO):该参数最大值为 500nA,表明在关断状态下漏电流极低,从而提高了功率效率。
  • 饱和压降 (Vce):在 1mA 到 10mA 的集电极电流范围内,最大饱和压降为 300mV,确保在开关时提供高效的导通能力。
  • 跃迁频率:该器件具有高达 250MHz 的跃迁频率,适合高频率的信号处理应用。
  • 最大功耗:允许的最大功耗为 150mW,适合大多数中低功率应用场合。

2. 封装与安装

DTC114TETL 采用 SC-75/SOT-416(UMT6)封装,这种小型封装设计实现了空间的高效利用,使得该器件特别适合于紧凑型电路板设计。表面贴装型安装方式使其在自动化生产过程中更加便捷,有助于降低组装成本和提高生产效率。

3. 应用场景

DTC114TETL 的广泛应用场景包括:

  • 开关电路:由于其较高的集电极电流和低饱和压降,DTC114TETL 非常适用于驱动负载,如继电器、LED 和小型电机。
  • 信号放大:在小信号放大应用中,该器件可用于音频和视频信号的处理,保证信号的清晰度和稳定性。
  • 数字电路:适用于逻辑电平转换和控制电路,尤其是那些需要高频率操作的场合,例如数字信号处理和通信设备。
  • 便携式设备:由于其小巧的封装和较低的功耗特性,DTC114TETL 非常适合在便携式设备中使用,如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品。

4. 竞争优势

DTC114TETL 从多个方面展示了其竞争优势:

  • 高效率:由于其极低的截止电流和饱和压降,能有效减少功耗,提高整体电路的能效。
  • 高增益:可在较低的基极电流下实现高集电极电流,适用于要求高灵敏度及高增益的应用场合。
  • 小型封装:其紧凑的设计,使得整机设计更加灵活,同时也有助于提高元器件的集成度。

5. 总结

总体而言,DTC114TETL 是一款高效、可靠的小型 NPN 晶体管,凭借其优越的电气特性和适应性广泛应用于多种电子设备中。ROHM 的这款产品势必会成为众多设计工程师在选择晶体管时的优选方案,为他们的项目提供稳定的性能和优秀的性价比。