额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |
DTD114EKT146是一款由ROHM(罗姆)公司制造的高性能数字NPN预偏置晶体管,其主要设计目标是为便携式电子设备和其他低功耗电路提供高效的开关和放大功能。该元器件以其宽广的工作电压和电流范围、优异的频率响应、以及小巧的表面贴装型封装而受到设计工程师的青睐。
额定功率:DTD114EKT146的额定功率为200mW,适用于中小功率应用,能够在相对宽泛的条件下稳定工作。
集电极电流(Ic):最大集电极电流为500mA,可以满足多数普通数字电路和模拟电路的需求。
集射极击穿电压(Vce):该器件的集射极击穿电压最大值为50V,适合于相应的电源电压范围内的应用。
电流增益(hFE):在特定条件下(50mA的集电极电流、5V的供电),其直流电流增益最小值为56,保证了良好的信号放大能力。
饱和压降:在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,最大饱和压降为300mV,确保了高效率的信号切换。
截止电流:集电极截止电流的最大值为500nA,展现了良好的低功耗表现,适合于待机模式下的电路设计。
频率响应:该晶体管具备高达200MHz的跃迁频率,能够在高速数字电路中得到有效应用。
DTD114EKT146采用TO-236-3(又称SOT-23-3)封装,具有较小的尺寸,适合表面贴装技术(SMT),不仅节省了电路板空间,还能实现高密度组合设计。该封装结构的合理性使得散热性能良好,有助于在高功率密度应用中维持稳定的工作温度。
由于DTD114EKT146具备良好的电性能和适应性,该器件适合于以下应用场景:
便携式设备:如手机、平板电脑、可穿戴设备等,要求低功耗与高效能的场景。
开关电路:在各种开关电源或逻辑电路中,用于实现信号的切换。
放大电路:其直流电流增益适合用于音频放大器和信号处理链路。
驱动电路:可用于驱动LED、继电器等负载,为设计提供灵活性。
射频应用:得益于其高跃迁频率,适用于射频放大器和接收器中。
DTD114EKT146凭借其高效的电气特性、便于集成的封装形式和广泛的应用可能性,成为设计师在开发新颖电子产品时的理想选择。这款晶体管不仅能够满足常见电子产品的基本要求,还为产品的性能提升提供了空间。
综上所述,DTD114EKT146是一种性能可靠、灵活性强的NPN预偏置晶体管,适用于各类数字和模拟电路设计。作为电子元器件中的一种重要选择,设计工程师和产品开发者可借助其特性实现更高效的电路设计和系统集成。