晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 3.5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 24W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@500mA,10V | 特征频率(fT) | 80MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 155mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FZT857TA 是一款高性能 NPN 双极型晶体管 (BJT),专为需要高电压和大电流处理能力的应用而设计。作为一种表面贴装型元器件,该产品采用 SOT-223 封装,具有小巧、易于焊接和适应自动化贴装等优点。FZT857TA 的性能参数使其特别适合于开关电源、马达驱动器、功率放大器等多种电力电子和信号处理应用。
FZT857TA 的特性使其广泛应用于多种领域,包括但不限于:
随着电子行业的快速发展,对高性能、低功耗元器件的需求不断增加。FZT857TA 凭借其出色的参数组合、可靠的性能和广泛的应用前景,使其在市场中具有很强的竞争力。DIODES(美台)作为全球知名的半导体制造商,其产品通常伴随高质量标准和创新设计,FZT857TA 也不例外。
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