类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,11A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
型号: IRF640PBF
品牌: VISHAY (威世)
封装类型: TO-220AB
IRF640PBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(场效应晶体管),适用于各种电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器和其他需要高效开关的电路应用。凭借其出色的电气参数和可靠的工作性能,IRF640PBF 在业界广泛应用,尤其是在低压大电流的高频应用场景中。
IRF640PBF MOSFET 由于其高效和高可靠性的特点,广泛应用于以下几个领域:
IRF640PBF 采用 TO-220AB 封装,具有良好的散热特性,便于散热片的安装,帮助元件在高功率应用中保持较低的工作温度。该封装设计允许通过通孔安装,适用于各种PCB设计,增加了设计灵活性。
IRF640PBF 是一款功能强大且可靠的 N 沟道 MOSFET,具有出色的电气特性和广泛的应用前景,能够满足许多工程和工业需求。凭借高电流承载、较低的导通电阻以及广泛的工作温度范围,这款 MOSFET 在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。无论是在研发新产品还是进行系统升级,IRF640PBF 都是一个值得考虑的优质选择。