类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@4.5V,2.2A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 610pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 170pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7304TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能双 P 沟道场效应管(MOSFET),其具备出色的电气特性和可靠的工作性能。这款 MOSFET 采用先进的表面贴装技术(SMD),符合现代电子设备对体积小、性能高的要求。产品最大功率可达 2W,最大漏极电压为 20V,连续漏极电流为 4.3A,适合多种应用场景,如电源管理、负载开关和电机驱动等。
安装类型: 表面贴装型(SMD),便于自动化焊接和减少 PCB 占用面积。
导通电阻(Rds(on)): 在不同的漏极电流 (Id) 和栅源电压 (Vgs) 下,该 MOSFET 的导通电阻最大值为 90 毫欧(@ 2.2A,4.5V),确保在高电流操作时具有较低的功耗和发热。
漏极电流(Id): 该器件的额定连续漏极电流为 4.3A,适用于各类低压高流量的负载。
输入电容(Ciss): 在 15V 的漏源电压下,输入电容(Ciss)最大为 610pF。这一指标表明该器件的开关速度较快,有助于提高整体电路的响应速度。
栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为 22nC(@ 4.5V),这使得控制电路能够更高效地驱动 MOSFET,减少开关损耗。
工作温度范围: 工作温度范围广泛,为 -55°C 到 150°C,能够在多种极端环境中稳定运行,提高了器件的可靠性。
阈值电压(Vgs(th)): 最大阈值电压为 700mV(@ 250µA),确保该 MOSFET 可以使用逻辑级栅电压进行开关操作,大大简化了驱动电路的设计。
IRF7304TRPBF 的广泛应用使其成为现代电子设计中不可或缺的元件,具体应用包括:
电源管理模块: 利用其低导通电阻和高效能,MOSFET 可以高效地控制电源的输入和输出,降低电源转换损耗。
负载开关: 该器件可以在众多消费电子产品中作为负载开关,提供可靠的开关控制,保证电路安全与稳定。
电动机驱动: 在电动机控制设计中,IRF7304TRPBF 可以作为驱动元件,以高效率地控制电机的启停和转速调节,适用于小型电机驱动方案。
总之,IRF7304TRPBF 是一款优质的双 P 沟道 MOSFET,其小巧的 SO-8 封装和卓越的电气性能使其在多种电子应用中表现出色。凭借广泛的工作温度范围和兼容逻辑电平门的功能,该器件能够满足现代电子设计中的各种需求,为设计师和工程师提供了可靠的解决方案。无论是用于电源管理、负载开关还是电机驱动,IRF7304TRPBF 都能够助力您的项目实现高效、稳定的性能。