类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 15A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.2mΩ@4.5V,15A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 87nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 7.98nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 980pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息
IRF7425TRPBF 是一种高性能的 P 通道 MOSFET,能够在多种电子应用中提供卓越的电流控制和开关性能。作为 Infineon(英飞凌)公司的一款优秀产品,IRF7425TRPBF 在电力电子、自动化设备和电池管理系统等领域中具有广泛的应用潜力。
产品特性
谐波高效能:IRF7425TRPBF 的漏源电压(Vdss)达到 20V,适合中低压应用。该特性确保了 MOSFET 在电压波动条件下的稳定和可靠运行,减少了过电压引发的故障风险。
强大的电流承载能力:该器件可在 25°C 的环境下连续承载高达 15A 的电流,让用户能够在高负载情况下使用,从而增强系统的整体电力输出能力。
低导通电阻:IRF7425TRPBF 的导通电阻(Rds(on))在 4.5V 下可低至 8.2 毫欧,这意味着大幅降低了在开关状态下的功率损耗,提升了能源利用效率,并降低了发热量,从而延长了组件和系统的生命周期。
宽阔的栅极驱动电压范围:适应 2.5V ~ 4.5V 的驱动电压,使其在多种逻辑电平条件下都能正确定义开关状态,具有出色的灵活性和适应性。
快速开关能力:其栅极电荷(Qg)在 4.5V 的情况下为 130nC,提供了快速开关特性,适合高频率应用,能够有效提升开关效率。
封装与工作温度:IRF7425TRPBF 采用 SO-8 封装,意味着其占用空间小、安装方便,适合表面贴装技术(SMT)。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保产品在极端环境下依旧安全可靠。
出色的热管理能力:最大功率耗散能力为 2.5W,设计合理的内部结构,有效散热可为产品在高温环境下运行提供保障,延长器件的使用寿命。
应用领域
IRF7425TRPBF 的设计理念使其在各类应用中表现卓越,包括:
总结
总之,IRF7425TRPBF 是一款设计精良、性能可靠的 P 通道 MOSFET。其独特的特性,如低导通电阻、高额电流承载能力、宽阔的工作温度范围及优异的开关性能,使其在电源设计、自动化控制及新能源等领域中具有重要的价值和广泛的应用前景。其表面贴装的 SO-8 封装设计也使其成为现代电子产品设计中的理想选择。对于需要高效率和高可靠性的电力电子系统,IRF7425TRPBF 显然是一个不可多得的优质选择。