IRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,17A |
| 功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.25V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.5nF |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 310pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7842TRPBF手册
IRF7842TRPBF概述
产品概述：IRF7842TRPBF MOSFET
IRF7842TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效能应用设计，具有优越的电气特性和广泛的工作温度范围。它是英飞凌（Infineon）公司的一款优质产品，主要面向电源管理、开关电源、驱动电机、LED照明以及其他需要高效率开关控制的应用场景。
关键参数与特性
漏源电压(Vdss): IRF7842TRPBF的漏源电压高达40V，适合用于大多数低中压应用。其高的耐压特性使得它在设计中具有良好的安全性和灵活性。
连续漏极电流(Id): 该元件在25°C环境温度下，能够承载最大18A的连续漏极电流，能够满足高电流应用的需求。这使得IRF7842TRPBF在高负载情况下表现优异。
导通电阻(Rds(on)): 在10V及17A的条件下，IRF7842TRPBF的最大导通电阻仅为5毫欧，这为降低功耗和发热提供了良好的条件，提升了系统的整体效率。
驱动电压(Vgs): IRF7842TRPBF支持多种驱动电压选项，在4.5V和10V下表现优异，能够适应多种驱动电路的需求。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))的最大值为2.25V，意味着其在较低的栅极电压时即可开启，有利于减少控制电路的功耗。
栅极电荷(Qg): 栅极电荷为50nC @ 4.5V，较低的栅极电荷特性使得开关速度快，适用于高频开关应用，减少了在快速开关过程中由于充电和放电造成的能量损耗。
热管理: IRF7842TRPBF的功率耗散能力高达2.5W，并且其工作温度范围从-55°C到150°C。这一宽温度范围确保在极端环境下的可靠性，适合于军事、航空航天等特殊应用。
封装形式: 该器件采用8-SO封装，外形紧凑，方便进行表面贴装，适合现代电子设备的小型化需求。
应用场景
IRF7842TRPBF因其众多优良的特性，被广泛应用于：
- 电源管理: 用于DC-DC转换器、开关电源等，能有效提高转换效率，减少能耗。
- 电动机控制: 在电动机驱动中，作为开关元件使用，能够快速响应控制信号，实现高效精确的电机调节。
- LED驱动: 由于其快开关特性，适合用于LED驱动电路，能够提升灯具的工作效能和寿命。
- 高频开关电路: 应用于高频电路中，可降低开关损耗，提高整体性能。
总结
IRF7842TRPBF是一款在其类别中性能优越的N沟道MOSFET，具有40V的漏源电压、18A的持续电流、极低的导通电阻及良好的工作温度范围，适合于各种高效能电源应用。无论是在电动机控制、高频开关还是电源管理领域，IRF7842TRPBF都能为设计者提供可靠的解决方案，帮助他们提升产品的整体性能和能效。在选择符合您需求的MOSFET时，IRF7842TRPBF无疑是一个值得考虑的优秀选择。