类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.8A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 39nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
IRF840LCPBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),专为高电压和高电流应用而设计。该器件具有卓越的耐压能力(漏源电压 Vdss 高达 500V)、较大的连续漏极电流(Id 为 8A @ 25°C)以及相对较小的导通电阻。这些特性使得 IRF840LCPBF 成为电源转换、电机驱动和其他高功率电子线路中非常理想的开关元件。
技术参数
IRF840LCPBF 的主要技术参数包括:
应用场景
IRF840LCPBF 被广泛应用于:
优势与特点
结论
作为 VISHAY(威世)公司的优质产品,IRF840LCPBF 在电源管理与高功率应用领域中凭借其卓越的性能和可靠性,已成为许多工程师和设计师推荐的理想选择。其高耐压、低导通阻抗和良好的热管理能力,使得该器件在不断发展的电子产品中,保持着极高的竞争力与适用性。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子领域,IRF840LCPBF 都能够为设计提供强有力的支持,并为最终产品赋予卓越的性能表现。