IRF840LCPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF840LCPBF

商品编码: BM0000286915
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 125W 500V 8A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.58
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.58
--
1000+
¥6.35
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF840LCPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)5.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)850mΩ@10V,4.8A
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)39nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF
反向传输电容(Crss@Vds)18pF工作温度-55℃~+150℃

IRF840LCPBF手册

IRF840LCPBF概述

IRF840LCPBF 产品概述

产品简介

IRF840LCPBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),专为高电压和高电流应用而设计。该器件具有卓越的耐压能力(漏源电压 Vdss 高达 500V)、较大的连续漏极电流(Id 为 8A @ 25°C)以及相对较小的导通电阻。这些特性使得 IRF840LCPBF 成为电源转换、电机驱动和其他高功率电子线路中非常理想的开关元件。

技术参数

IRF840LCPBF 的主要技术参数包括:

  • 封装/外壳: TO-220-3,便于通孔安装,并具有良好的散热性能。
  • 漏源电压 (Vdss): 500V,能够满足许多高压应用的需求。
  • 栅源电压 (Vgss): ±30V,增强了器件在操作过程中对栅极的保护能力。
  • 漏极电流 (Id): 在 25°C 的条件下,连续漏极电流能力达到 8A,适应多种负载要求。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动下,导通电阻最大为 850 毫欧,这在一定程度上降低了开关损耗,并提高了电能转换效率。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 39nC(在 10V 时),使得驱动电路设计更加灵活,信号响应更快。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 1100pF(在 25V 时),可减少高频率下的开关噪声。
  • 功率耗散: 最大值为 125W,适合在高功率条件下工作。
  • 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C,适用各种极端环境,确保器件性能稳定。

应用场景

IRF840LCPBF 被广泛应用于:

  • 电源管理: 在开关电源 (SMPS)、直流-直流转换器中,作为开关元件提高转换效率。
  • 电机驱动: 用于直流电机和步进电机的驱动系统,能够快速而高效地开关。
  • 音频放大器: 作为输出级开关,提供高功率放大能力,适用于高保真音频设备。
  • 电力电子: 在逆变器和其他电力转换设备中,用于控制电能流动。

优势与特点

  • 高耐压: IRF840LCPBF 的 500V 的耐压特性,能够处理更高电压应用,确保了系统的安全性与可靠性。
  • 低导通阻抗: 除了大大降低了功率损耗,还有效地提高了系统的整体效率,适合高功率负载。
  • 广泛的工作温度范围: -55°C 到 150°C 的温度能力,使得该器件在严苛的环境条件下依然表现出色。
  • 易于散热设计: TO-220 封装允许通过散热器有效地管理热量,保持器件在安全工作温度内。

结论

作为 VISHAY(威世)公司的优质产品,IRF840LCPBF 在电源管理与高功率应用领域中凭借其卓越的性能和可靠性,已成为许多工程师和设计师推荐的理想选择。其高耐压、低导通阻抗和良好的热管理能力,使得该器件在不断发展的电子产品中,保持着极高的竞争力与适用性。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子领域,IRF840LCPBF 都能够为设计提供强有力的支持,并为最终产品赋予卓越的性能表现。