类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 250A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5mΩ@10V,100A |
功率(Pd) | 230W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@150uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 150nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 7.33nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 745pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFB7437PBF是一款高性能的N通道MOSFET,采用了先进的金属氧化物半导体技术,适用于各种高效电力转换应用。该器件的额定漏源电压(Vdss)为40V,能够承受高达195A的连续漏极电流,非常适合在高电流环境下工作。MOSFET的封装采用TO-220AB,这种封装形式有助于良好的散热性能,进而提高器件的可靠性和使用寿命。
IRFB7437PBF具有极宽的工作温度范围,从-55°C至175°C (TJ),使得该器件在恶劣环境条件下依然能够稳定工作。极高的功率耗散能力(最大230W)使其能在大量应用中应对复杂的热管理问题,如电动汽车、轨道交通、工业自动化和风能系统等。
作为Infineon(英飞凌)推出的一款产品,IRFB7437PBF不仅在技术规格上领先,且在品质和可靠性上具有显著优势。英飞凌作为功率半导体领域的领军者,长久以来以创新和高质量的产品著称。该MOSFET的出色性能使其紧密契合现代电力电子设备对高效率和小型化的需求。
总的来说,IRFB7437PBF是一款稳定、高效且多用途的N通道MOSFET,适合于各类高功率应用。无论是在电源转换、电动机驱动还是高频开关电路中,其卓越的性能和可靠性均能提供无与伦比的支持,是工程师开发高效能电力系统的理想选择。