类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 8.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@10V,8.4A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 150nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.6nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 340pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFP450PBF 是一款由著名的元器件制造商 VISHAY(威世) 生产的高性能 N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),广泛应用于高电压和高功率的电源管理和转换领域。其典型应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、反激式变换器、以及电机驱动和工业负载开关。凭借其卓越的性能参数,该器件能够满足现代电子设计对高效、可靠和高功率处理能力的需求。
IRFP450PBF采用 TO-247-3 封装,具备良好的热管理能力,适合高功率的应用场景。该封装形式的通孔安装设计,便于在各种电路板上进行组装和焊接。由于其低热阻特性,能够有效地将热量散发至环境中,确保器件在持续高负载下的稳定运行。
IRFP450PBF凭借其极低的导通电阻和高功率容量,明显降低了导通损耗,从而提高了总体系统的能效。在高频开关情况下,器件的快速响应特性有效减少了开关损耗,提升了系统的整体性能。宽广的工作温度范围使其能够在极端环境下持续稳定运行,保证了长时间的可靠性,使其受到设计工程师的青睐。
总的来说,IRFP450PBF N沟道MOSFET是一个强大、可靠的高压开关器件,能够在多种高功率应用中表现出色。其高电压、高电流及宽工作温度范围,确保了它在苛刻市场的良好适应性。作为现代电子设计的重要组成部分,IRFP450PBF为电力电子系统的创新和优化提供了坚实的基础。