IRFP450PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFP450PBF

商品编码: BM0000286924
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247AC
包装 : 
管装
重量 : 
6.04g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 190W 500V 14A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
23054(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
6.41
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.41
--
500+
¥6.16
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP450PBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)8.7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@10V,8.4A
功率(Pd)190W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.6nF
反向传输电容(Crss@Vds)340pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFP450PBF手册

IRFP450PBF概述

产品概述:IRFP450PBF N沟道MOSFET

概述

IRFP450PBF 是一款由著名的元器件制造商 VISHAY(威世) 生产的高性能 N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),广泛应用于高电压和高功率的电源管理和转换领域。其典型应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、反激式变换器、以及电机驱动和工业负载开关。凭借其卓越的性能参数,该器件能够满足现代电子设计对高效、可靠和高功率处理能力的需求。

关键参数

  • 漏源电压(Vds):500V
  • 连续漏极电流(Id):14A(在25°C时,考虑封装温度的变化,实际应用中需要依据工作环境进行选择)
  • 驱动电压(Vgs):10V,保证最佳导通状态
  • 导通电阻(Rds(on)):在8.4A、10V的条件下,最大导通电阻为400毫欧,确保能量损失降至最低
  • 门源阈值电压(Vgs(th)):4V @ 250µA,表明开启管的灵敏度
  • 栅极电荷(Qg):150nC @ 10V,影响开关速度和效率
  • 输入电容(Ciss):2600pF @ 25V,优化开关响应
  • 功率耗散:最大功率耗散达190W,适应高温环境
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,适用于严苛的工作条件

封装与安装

IRFP450PBF采用 TO-247-3 封装,具备良好的热管理能力,适合高功率的应用场景。该封装形式的通孔安装设计,便于在各种电路板上进行组装和焊接。由于其低热阻特性,能够有效地将热量散发至环境中,确保器件在持续高负载下的稳定运行。

应用领域

  1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)中,IRFP450PBF可作为主开关元件,处理高电压大电流的电能转换,提高转换效率,降低待机损耗。
  2. 电动机驱动:在电动机驱动中可作为高侧或低侧开关,控制电机的启停及速度,广泛应用于电动车辆和工业机器人等领域。
  3. 高频应用:由于其低栅极电荷和快速开关特性,IRFP450PBF尤其适合用于高频开关应用,比如RF功率放大器和RFID系统。
  4. 逆变器和直流-直流转换器:适用于可再生能源领域的光伏逆变器和电池管理系统中的DC-DC转换。

性能优势

IRFP450PBF凭借其极低的导通电阻和高功率容量,明显降低了导通损耗,从而提高了总体系统的能效。在高频开关情况下,器件的快速响应特性有效减少了开关损耗,提升了系统的整体性能。宽广的工作温度范围使其能够在极端环境下持续稳定运行,保证了长时间的可靠性,使其受到设计工程师的青睐。

结论

总的来说,IRFP450PBF N沟道MOSFET是一个强大、可靠的高压开关器件,能够在多种高功率应用中表现出色。其高电压、高电流及宽工作温度范围,确保了它在苛刻市场的良好适应性。作为现代电子设计的重要组成部分,IRFP450PBF为电力电子系统的创新和优化提供了坚实的基础。