类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 270mΩ@10V,12A |
功率(Pd) | 280W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 210nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.2nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 350pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:IRFP460PBF N 通道 MOSFET
VISHAY 的 IRFP460PBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,专为高电压和高电流应用而设计。其主要规格包括漏源电压(Vdss)高达 500V,支持最大连续漏极电流(Id)为 20A。这些优秀参数使该 MOSFET 在电源管理、电机控制和其他高功率应用中表现出色。
电气参数与性能特征
漏源电压(Vdss): IRFP460PBF 的漏源电压达到 500V,这使其成为高压应用的理想选择,可以用于逆变器、开关电源和电动马达驱动等场景。
导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压下,其导通电阻最大为 270 毫欧,在 12A 的漏极电流下表现优良。这一低导通电阻值有助于减少功率损耗,提高效率,从而降低系统的散热需求。
栅极驱动特性: IRFP460PBF 的栅极电压(Vgs)最大值为 ±20V,可以灵活适应不同电路设计需求。其栅极电荷(Qg)为 210nC,在 10V 条件下测试,表明 MOSFET 可以快速开启和关闭,提升开关效率,尤其适合高频应用。
阈值电压(Vgs(th)): 在 250μA 的测试电流下,阈值电压 (Vgs(th)) 最大可达 4V,这个参数对于确保 MOSFET 在适当的栅极驱动条件下开始导通至关重要。
功率耗散能力: 该器件的最大功率耗散为 280W(Tc),表明 IRFP460PBF 可在高温环境下正常工作,适用于严酷的工作条件。
工作温度范围: IRFP460PBF 在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作,使其理想用于各种环境,特别是航天、电力和工业控制等应用。
封装与安装
IRFP460PBF 采用 TO-247-3 封装,这种封装不仅提供良好的散热性能,同时也便于通孔安装。TO-247 封装是高功率元件中常用的封装类型,便于兼容标准 PCB 板设计。
应用场景
IRFP460PBF 广泛应用于电力电子行业,包括但不限于:
总结
IRFP460PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,具有优异的电气性能和极佳的可靠性,适合多种高压高流应用。凭借其独特的技术优势,IRFP460PBF 可以有效地提升电源转换效率,降低能耗,广泛满足各种工业和商业需求。对于设计工程师而言,IRFP460PBF 是实现高效、稳定电源解决方案的理想选择。