类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 1kV |
连续漏极电流(Id) | 3.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,3.6A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 190nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.8nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 84pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFPG50PBF是由VISHAY(威世)公司推出的一款高性能N通道MOSFET,专为高电压和高功率应用设计。其出色的电气特性和耐环境能力使其在诸如电源管理、逆变器、马达驱动和功率转换等多种应用中得以广泛使用。
漏源电压(Vdss):IRFPG50PBF的最大漏源电压为1000V,适合高压应用,这使其能够在高电压电路中安全运行。
连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,IRFPG50PBF的连续漏极电流高达6.1A,提供了强大的电流驱动能力,能够满足大部分负载要求。
栅源极阈值电压(Vgs(th)):该器件的阈值电压为4V(在250µA条件下),意味着需要较低的栅极电压激活,这是现代电源设计中一个很重要的特性。
漏源导通电阻(Rds(on)):在3.6A和10V的条件下,该MOSFET表现出低达2Ω的导通电阻,这可以有效减少导通损耗,提高系统的整体效率。
功率耗散:IRFPG50PBF的最大功率耗散为190W(在Tc=25°C时),这使其能够承受较为严苛的工作环境和高功率负载。
工作温度范围:能在-55°C到150°C之间的温度范围内可靠工作,使该器件适合于多种工作环境,特别是工业以及汽车应用中需要的广泛温度适应性。
封装类型:IRFPG50PBF采用TO-247-3封装形式,适合通孔安装,便于散热和PCB布局,为设计师提供了良好的灵活性。
IRFPG50PBF广泛应用于:
综上所述,IRFPG50PBF 是一款高性能、耐用且适应性强的N通道MOSFET。凭借其优异的电气特性和宽广的应用领域,该器件理想地满足了现代电气和电子设备所需的高效能要求。设计工程师在寻求高压、高效率和可靠性能的半导体解决方案时,IRFPG50PBF无疑是一个优秀的选择。无论是在高电压电源,还是在转换器和电动马达驱动应用中,IRFPG50PBF都能够提供卓越的性能,使其成为电气模块设计的重要组成部分。