IRFR4615TRLPBF
IRFR4615TRLPBF参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@10V,21A |
| 功率(Pd) | 144W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.75nF@50V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRFR4615TRLPBF手册
IRFR4615TRLPBF概述
IRFR4615TRLPBF 产品概述
IRFR4615TRLPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为高效率电源管理及开关应用而设计。其主要特点包括额定漏源电压（Vdss）为 150V、连续漏极电流（Id）为 33A 和低导通电阻（Rds(on)）为 42mΩ，适合于各种高电压、大电流条件下的使用。
关键参数和规格
漏源电压（Vdss）：IRFR4615TRLPBF 的额定漏源电压为 150V，这使得它能够在高压下工作，适用于各种电源转换应用，如 DC-DC 转换器、交流电机控制等。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，该器件能够承受高达 33A 的连续漏极电流，这为其提供了良好的性能灵活性，尤其是在需要高电流负载的应用场景中。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该 MOSFET 的栅源阈值电压为 5V，适合与低电压控制信号兼容，使得其驱动电路设计更为简便。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在 21A 和 10V 的条件下，IRFR4615TRLPBF 的导通电阻为 42mΩ，保证了在高负载下的低功耗损耗，从而提升了整体系统效率。
最大功率耗散：该器件的最大功率耗散为 144W（在 Tc=25°C 时），能够有效控制器件温升，延长使用寿命。
工作温度范围：IRFR4615TRLPBF 的工作温度范围覆盖从 -55°C 到 175°C，使其能够在极端温度条件下稳定工作，适合于汽车、工业及军事应用等极端环境。
封装与安装
IRFR4615TRLPBF 采用 TO-252-3（D-Pak）封装，表面贴装型设计使得其适合于自动化生产线，大大简化了电路板的组装过程。该封装不仅提供优良的散热性能，还可以有效节省线路板的空间，为复杂电路的设计提供了更大的灵活性。
应用领域
IRFR4615TRLPBF 的特殊设计使其适用于广泛的电子应用领域，包括但不限于：
- 开关电源：在高频开关电源中作为主开关器件，提高了能量转换效率。
- 电机驱动：在各种电机驱动电路中用于大电流的控制，提供可靠的功率开关解决方案。
- 逆变器：在太阳能逆变器及不间断电源（UPS）中，作为功率转换元件确保高效稳定的电流输出。
- 电池管理系统：在电池充放电管理中，负责电流的准确控制，优化电池使用效率和寿命。
结论
综上所述，IRFR4615TRLPBF 是一款结合高性能、可靠性和灵活性的 N 沟道 MOSFET，尤其适合高功率电源管理及开关应用。其强大的电特性、广泛的工作温度范围及先进的封装设计，使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在高效能的开关电源，还是在高耐温需求的工业设备中，IRFR4615TRLPBF 均能高效、稳定地发挥其性能，助力各种高端应用的实现。