IRFR4615TRLPBF 产品实物图片
IRFR4615TRLPBF 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFR4615TRLPBF

商品编码: BM0000286929
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
0.458g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 144W 150V 33A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
6410(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.42
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.42
--
3000+
¥2.32
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR4615TRLPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)33A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@10V,21A
功率(Pd)144W阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.75nF@50V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

IRFR4615TRLPBF手册

IRFR4615TRLPBF概述

IRFR4615TRLPBF 产品概述

IRFR4615TRLPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为高效率电源管理及开关应用而设计。其主要特点包括额定漏源电压(Vdss)为 150V、连续漏极电流(Id)为 33A 和低导通电阻(Rds(on))为 42mΩ,适合于各种高电压、大电流条件下的使用。

关键参数和规格

  1. 漏源电压(Vdss):IRFR4615TRLPBF 的额定漏源电压为 150V,这使得它能够在高压下工作,适用于各种电源转换应用,如 DC-DC 转换器、交流电机控制等。

  2. 连续漏极电流(Id):在 25°C 的环境温度下,该器件能够承受高达 33A 的连续漏极电流,这为其提供了良好的性能灵活性,尤其是在需要高电流负载的应用场景中。

  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)):该 MOSFET 的栅源阈值电压为 5V,适合与低电压控制信号兼容,使得其驱动电路设计更为简便。

  4. 漏源导通电阻(Rds(on)):在 21A 和 10V 的条件下,IRFR4615TRLPBF 的导通电阻为 42mΩ,保证了在高负载下的低功耗损耗,从而提升了整体系统效率。

  5. 最大功率耗散:该器件的最大功率耗散为 144W(在 Tc=25°C 时),能够有效控制器件温升,延长使用寿命。

  6. 工作温度范围:IRFR4615TRLPBF 的工作温度范围覆盖从 -55°C 到 175°C,使其能够在极端温度条件下稳定工作,适合于汽车、工业及军事应用等极端环境。

封装与安装

IRFR4615TRLPBF 采用 TO-252-3(D-Pak)封装,表面贴装型设计使得其适合于自动化生产线,大大简化了电路板的组装过程。该封装不仅提供优良的散热性能,还可以有效节省线路板的空间,为复杂电路的设计提供了更大的灵活性。

应用领域

IRFR4615TRLPBF 的特殊设计使其适用于广泛的电子应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源:在高频开关电源中作为主开关器件,提高了能量转换效率。
  • 电机驱动:在各种电机驱动电路中用于大电流的控制,提供可靠的功率开关解决方案。
  • 逆变器:在太阳能逆变器及不间断电源(UPS)中,作为功率转换元件确保高效稳定的电流输出。
  • 电池管理系统:在电池充放电管理中,负责电流的准确控制,优化电池使用效率和寿命。

结论

综上所述,IRFR4615TRLPBF 是一款结合高性能、可靠性和灵活性的 N 沟道 MOSFET,尤其适合高功率电源管理及开关应用。其强大的电特性、广泛的工作温度范围及先进的封装设计,使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在高效能的开关电源,还是在高耐温需求的工业设备中,IRFR4615TRLPBF 均能高效、稳定地发挥其性能,助力各种高端应用的实现。