IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF 产品概述

IRFR5505TRPBF 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 D-Pak 封装，特别设计用于高压和高电流应用。这款电子元器件的关键参数使其在多个领域中表现出色，包括电源管理、马达驱动和开关电源等。以下将详细介绍其主要参数、应用场景及优势。

主要参数

• 漏源电压（Vdss）: 55V。该电压值为器件在工作中的最大承受电压。
• 连续漏极电流（Id）: 18A（在 25°C 环境温度下）。这确保了 MOSFET 在高负载条件下的可靠性。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250μA。此参数决定了器件开启的电压，指示在此电压下 MOSFET 开始导电。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 110mΩ @ 9.6A, 10V。低导通电阻大幅降低了在工作过程中的能量损耗，提升了效率。
• 最大功率耗散: 57W（在 Tc=25°C 时）。这一能力使得设备能在较高功率负载下稳定运行。
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C。宽广的温度范围适合各种环境条件，保证了在恶劣工作环境下的可靠性。
• 封装类型: TO-252-3 (D-Pak)。这一表面贴装型封装使得安装更加便利，并在热管理方面表现良好。
• 厂家: Infineon（英飞凌），其广泛应用于工业、汽车及消费类电子产品中，保证了产品的质量和性能。

应用场景

IRFR5505TRPBF 主要应用于以下领域：

1. 电源管理: 在开关电源、直流-直流转换器及不间断电源（UPS）中，能提供高效的电源转换能力。

2. 马达控制: 在电动机驱动应用中，能够有效控制电流，确保马达平稳运行，提升整体系统效率。

3. 电动汽车及混合动力汽车: 在电动汽车的动力系统中，IRFR5505TRPBF 可用于电池管理和功率转换，提升电动汽车的续航能力和效率。

4. 消费电子产品: 例如在计算机电源适配器、LED 驱动及其他消费类电子产品的应用场景中，应对各种负载变化，确保稳定供电。

产品优势

• 高效能: 具有较低的导通电阻，有助于在高功率应用中显著降低热损耗，提升系统的能源效率。

• 宽泛的工作范围: 适用的温度范围和高耐压使其在不同环境中安全稳定运行。

• 可靠性: 作为知名品牌 Infineon 的产品，IRFR5505TRPBF 在工业标准下经过严格测试，具有良好的长期稳定性和可靠性。

• 便于安装: D-Pak 封装技术便于自动化贴装，同时在散热性能上也具有一定的优势。

结论

IRFR5505TRPBF 是一款高效、可靠的 P 沟道 MOSFET，凭借其独特的电气特性，广泛适用于电源管理、马达控制和其他高功率应用。无论是在消费电子还是工业设备领域，这款 MOSFET 都能为设计师提供出色的性能与灵活性。在选择合适的 MOSFET 时，IRFR5505TRPBF 无疑是一种值得信赖的选择。