IRFU120NPBF

IRFU120NPBF 产品概述

产品基本信息

IRFU120NPBF 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要特点包括高漏源电压（Vdss）可达100V、连续漏极电流（Id）为9.4A，以及低导通电阻（Rds On）和高功率耗散能力，适合多种工业和消费电子应用。

主要规格和参数

• 漏源电压（Vdss）: 100V
• 连续漏极电流（Id）: 9.4A（在25°C时）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最小4V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds On）: 最大210mΩ @ 5.6A, 10V
• 最大功率耗散: 48W（在25°C时）
• 工作温度范围: -55°C 到 175°C
• 驱动电压: 最大10V
• 栅极电荷（Qg）: 最大25nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）: 最大330pF @ 25V
• Vgs最大值: ±20V
• 封装类型: TO-251（IPAK）

性能特点

IRFU120NPBF 具备出色的耐压和电流能力，适合高温高压的环境下工作。它的漏源导通电阻低至210毫欧，意味着在导通状态下发热量较低，有助于提高系统的能效和可靠性。最大功率耗散能力为48W，使其能够处理较大的功率负载，满足各种电源转换和开关应用的需求。

该MOSFET在栅极驱动期间能够以低能耗实现快速的开关性能，栅极电荷为25nC，可在较低驱动电压（10V）情况下保持良好的开关特性。同时，其栅源极阈值电压为4V，确保在实际应用中能被有效驱动。

应用场景

IRFU120NPBF 广泛应用于各类电源管理系统，包括但不限于：

• DC-DC转换器
• 馈线整流器
• 电机驱动器
• 开关电源
• 逆变器

凭借其高效的电流处理能力和出色的热管理性能，IRFU120NPBF 也非常适用于汽车电子、工业控制和消费电子产品等多个领域，尤其是在需要高能效和高可靠性的场合。

封装设计

IRFU120NPBF 采用 TO-251（IPAK）封装，设计紧凑，便于通孔安装，适合现代电子设备的小型化需求。其良好的热传导特性增强了在高负载条件下的散热性能，有助于提高组件的整体稳定性。

结论

综上所述，IRFU120NPBF 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，满足高压高电流应用的需求。其卓越的性能和灵活的应用场景，使得它在电源管理、工业控制及汽车等领域中备受青睐，为工程师和设计师提供了额外的设计自由度和信心。通过合理的电路设计，可以充分发挥其优势，帮助用户实现高效、稳定的电源解决方案。