晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,1.0V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本介绍
MMBT3906LP-7B是一款由DIODES(美台)公司生产的高性能PNP型晶体管,采用了紧凑的3-UFDFN封装,适用于各种表面贴装应用。该器件以其优越的电气性能和广泛的工作温度范围,成为诸多电子项目中不可或缺的关键元件。
主要特性
封装与形式
电气参数
电流放大特性
频率特性
环境适应性
集电极截止电流(ICBO):在最大值为50nA的条件下,显示出器件的低漏电流特性,确保在待机模式下的低功耗表现。
应用场景
MMBT3906LP-7B适用于广泛的电子产品,包括但不限于:
总结
MMBT3906LP-7B是一款功能强大、适用性广泛的PNP型晶体管,凭借其高频特性、稳定的电气参数和极宽的工作温度范围,使得其成为各类现代电子电路中的理想选择。该元件的卓越性能和容易集成的特性,使其在各类高要求应用中表现出色。无论是用于新产品开发还是现有设计的优化,MMBT3906LP-7B都将为您提供极佳的解决方案。