晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBTA06-7-F 是一种高性能的 NPN 型三极管,适用于多种电子应用。其设计旨在满足低功耗、高效率以及严格的温度要求,极大地方便了工程师在各种电路中进行选择和应用。该三极管由全球知名品牌 DIODES(美台)生产,采用 SOT-23 封装,具有极好的热稳定性和可靠性。
MMBTA06-7-F 三极管适用于多种应用场景,包括:
MMBTA06-7-F 提供了一系列设计优势:
在电源管理电路中,MMBTA06-7-F 可以作为开关元件,配合其他被动元件形成高效的 DC-DC 转换器。此外,在音频设备中,可以利用其高增益特性设计出优质的音频信号放大电路。对于射频信号的处理,搭配合适的阻抗匹配元件,该三极管能有效增强信号传输质量。
MMBTA06-7-F 以其卓越的电气性能、可靠的热稳定性及广泛的应用场景,牢牢把握住了现代电子产品设计的需求。无论是在消费电子、工业自动化,还是在通信设备中,它都是一款不可或缺的基础元器件。基于上述特点,设计师在选择合适的 NPN 三极管时,MMBTA06-7-F 理应成为优先选择之一。