集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 300mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,5V |
PUMH10,115是一款高性能数字晶体管,专为各种低功耗应用而设计。它采用了表面贴装型封装(SOT-363),提供了小巧的解决方案,适合各种空间受限的电子设备。以下是对该产品的详细介绍,包括其核心参数、技术特点及应用场景。
PUMH10,115的额定功率为300mW,集电极电流(Ic)可达100mA,而集射极击穿电压(Vce)则最大为50V。这一特性使得该晶体管在多种电路中能够稳定工作,能够承受一定的电流和电压波动。
作为一款双NPN预偏置晶体管,PUMH10,115的设计非常适合开关和信号处理应用。其DC电流增益(hFE)在Ic为10mA、Vce为5V时,达到最小值100,提供良好的放大能力。值得注意的是,该产品的基极电阻(R1)为2.2千欧,发射极电阻(R2)为47千欧,这为电路提供了合适的增益和稳定性。
此外,PUMH10,115在应用中的饱和压降表现也十分出色,最大为100mV(在250µA和5mA的条件下),确保了低功耗应用中信号的高效传输。同时,其集电极截止电流最大值为1µA,意味着在待机状态下功耗极低,进一步提升了设备的能效。
PUMH10,115采用6-TSSOP封装,这种紧凑的表面贴装型设计使得其在空间受限的电路板上更易于布线与安装。TSSOP封装不仅减少了焊接面积,还有助于设备的热管理和整体性能的提升。该产品的外壳设计也考虑到了现代设备中对于密集组件的需求,符合行业标准。
PUMH10,115由于其出色的电气特性和小巧的封装,广泛应用于多种电子设备中,包括:
作为安世(Nexperia)公司推出的高性能数字晶体管,PUMH10,115以其300mW的功耗和50V的击穿电压,在多种苛刻的应用场景中展现了卓越的性能和广泛的适用性。其双NPN型设计、与低饱和压降相结合,使得它成为解决现代电子需求的理想选择。
总之,PUMH10,115是一个可靠且高效的组件,特别适用于希望在其电路中实现高增益和低功耗的设计师与工程师。这款产品不仅满足今日电子产品日益增加的性能需求,还以其可持续性助力推动了未来的创新与发展。