SI2304DDS-T1-GE3
SI2304DDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.3A |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 60mΩ @ 3.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A（Ta），3.6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 3.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 235pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2304DDS-T1-GE3手册
SI2304DDS-T1-GE3概述
SI2304DDS-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI2304DDS-T1-GE3 是由威世（VISHAY）公司推出的一款高性能 N 沟道场效应电晶体 (MOSFET)，其主要应用于低功耗、高效率的电子电路设计中。这款 MOSFET 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，适合于表面贴装，能够在空间受限的电子设备中发挥出色的性能。由于其宽广的工作温度范围和稳定的电特性，SI2304DDS 并广泛应用于便携式设备、开关电源、LED 驱动和功率管理等领域。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，使其适用于中低压的功率转换应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，SI2304DDS 可以承载连续漏极电流 3.3A，而在结温（Tc）为 25°C 时最大可达到 3.6A。这一特性使其能够满足多样化的电流需求。
- 阈值电压: 在 250µA 的测试条件下，栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 2.2V，有助于低电压驱动设计，降低功耗。
- 导通电阻: 该产品在 3.2A 电流下，以 10V 驱动电压所测得的漏源导通电阻（Rds(on)）为 60mΩ，这意味着在正常工作时信号传递的损耗非常小，提高了总体能效。
- 功率耗散能力: 加工的功率耗散能力为 1.1W（Ta=25°C），在工作温度结（Tc=25°C）下可达 1.7W，确保MOSFET在高负载条件下使用安全可靠。
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C 的极广工作温度范围使得该器件能够在极端环境下稳定工作，适应各种应用需求。
三、应用领域
SI2304DDS-T1-GE3 由于其优异的电气特性和耐高温性能，特别适合以下应用：
开关电源: 在电源转换过程中，如AC-DC转换器、DC-DC升压和降压电路中，都能有效提供高效的电源管理和驱动能力。
LED 驱动: 该 MOSFET 能够以很低的导通电阻驱动 LED，特别是在需要调暗亮度或调节电流的应用中，能够工作在高效率和低温环境下。
功率管理: 其阈值电压较低，使得它在电源管理与电池保护等应用中极具优势，能够调节电流并精确控制功率分配。
便携设备: 因为其超小的封装和低功耗特性，SI2304DDS 适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备，提供更好的能效和稳定运行。
四、封装与备件
SI2304DDS-T1-GE3 采用SOT-23-3（TO-236）封装，适合在高密度电路板上进行表面贴装。该器件具有良好的焊接性能，便于在自动化生产中快速、高效地部署。此外，多种兼容的封装类型（如 SC-59 和 SOT-23-3）也确保了其在不同应用场景中的灵活性。
五、总结
SI2304DDS-T1-GE3 以其出色的电气参数、宽广的工作温度范围以及紧凑的封装形式，成为了现代电子设备设计中的一个重要选择。无论是在功率转换、LED 驱动，从事严苛环境的工业应用，还是便携设备的日常使用，SI2304DDS 都能稳定、高效地支持多样化的应用需求，为用户提供了电气设计的极大便利和灵活性。谢谢！