类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 88mΩ@10V,3.5A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 340pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 51pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI2307CDS-T1-GE3 是威世(VISHAY)生产的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),本产品采用SOT-23-3(TO-236)封装,专为需要高效能、小尺寸的应用设计。其漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)为3.5A,适用于广泛的电子设备和电源管理解决方案。
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 3.5A(25°C时)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 88mΩ @ 3.5A, 10V
功率耗散: 1.1W(Ta=25°C),1.8W(Tc)
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: SOT-23-3(TO-236)
SI2307CDS-T1-GE3广泛适用于各种电子应用,主要包括:
SI2307CDS-T1-GE3 P沟道MOSFET结合了先进的技术和可靠的电气性能,能够为电子设计师提供一种高效、经济且耐用的解决方案。无论在消费电子、工业控制还是电源管理方面,该MOSFET都能发挥重要作用。随着现代电子设备需求的不断增长,SI2307CDS-T1-GE3 将继续为各类应用提供强大的支持,成为设计工程师的理想选择。