类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10A,10V |
功率(Pd) | 2.5W;5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 23nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 846pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI4134DY-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用8-SOIC封装,适合表面贴装(SMT)应用。该器件的主要参数包括额定漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)可达14A,广泛应用于电源管理、电动机驱动以及其他需要高效能的开关电源及信号处理电路。
高效能开关特性:SI4134DY-T1-GE3具备极低的导通电阻(Rds(on)),在实现高电流和高电压操作时具有极小的能量损耗,使其成为高效开关电源设计的理想选择。
宽工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适合多种苛刻环境下的应用,包括工业和汽车电子等领域。
表面贴装设计:采用8-脚SOIC封装,便于在现代电子产品中实现高密度布局,提高生产效率并降低PCB的总设计和生产成本。
低栅极驱动电压:该MOSFET在4.5V及10V驱动电压下保持低导通电阻,适合于多种控制器输出的直接驱动,从而减少驱动电路的复杂性,简化电路设计。
SI4134DY-T1-GE3适用于以下应用场景:
作为一款高效的N沟道MOSFET,SI4134DY-T1-GE3具备低导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围,适应多种电源管理及控制应用,其优异的性能和可靠性使其在现代电子产品设计中备受青睐。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,SI4134DY-T1-GE3都是设计师和工程师的理想之选。通过采用该器件,工程师能够在保证性能的同时优化电路设计,提高最终产品的市场竞争力。