SI4134DY-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI4134DY-T1-GE3

商品编码: BM0000287275
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;5W 30V 14A 1个N沟道 SO-8
库存 :
37995(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.635
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.635
--
2500+
¥0.588
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI4134DY-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)14A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10A,10V
功率(Pd)2.5W;5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)23nC@10V输入电容(Ciss@Vds)846pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI4134DY-T1-GE3手册

SI4134DY-T1-GE3概述

产品概述:SI4134DY-T1-GE3 N沟道MOSFET

一、基本信息

SI4134DY-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用8-SOIC封装,适合表面贴装(SMT)应用。该器件的主要参数包括额定漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)可达14A,广泛应用于电源管理、电动机驱动以及其他需要高效能的开关电源及信号处理电路。

二、技术规格

  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
  • FET类型:N沟道
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 栅源电压(Vgss):±20V
  • 连续漏极电流(Id):25°C时14A(Tc)
  • 最大Rds(on):在4.5V与10V驱动电压下,分别提供低导通电阻
  • 最大导通电阻:14毫欧 @ 10A,10V
  • Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 栅极电荷(Qg):23nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss):846pF @ 15V
  • 功率耗散:最大2.5W(Ta),最大5W(Tc)
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)

三、主要特性

  1. 高效能开关特性:SI4134DY-T1-GE3具备极低的导通电阻(Rds(on)),在实现高电流和高电压操作时具有极小的能量损耗,使其成为高效开关电源设计的理想选择。

  2. 宽工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适合多种苛刻环境下的应用,包括工业和汽车电子等领域。

  3. 表面贴装设计:采用8-脚SOIC封装,便于在现代电子产品中实现高密度布局,提高生产效率并降低PCB的总设计和生产成本。

  4. 低栅极驱动电压:该MOSFET在4.5V及10V驱动电压下保持低导通电阻,适合于多种控制器输出的直接驱动,从而减少驱动电路的复杂性,简化电路设计。

四、应用场景

SI4134DY-T1-GE3适用于以下应用场景:

  • DC-DC转换器:在开关电源中作为开关元件,提供高效能和高频操作。
  • 电动机驱动:作为H桥电路中的开关元件,实现电动机的正反转控制。
  • 电池管理系统:在电池管理系统中用于监测和控制电池充放电过程。
  • LED驱动电路:作为驱动开关,为LED提供稳定的电流,确保其正常工作。
  • 信号放大器电路:在信号处理电路中作为开关元件,提高信号的传输效率。

五、总结

作为一款高效的N沟道MOSFET,SI4134DY-T1-GE3具备低导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围,适应多种电源管理及控制应用,其优异的性能和可靠性使其在现代电子产品设计中备受青睐。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,SI4134DY-T1-GE3都是设计师和工程师的理想之选。通过采用该器件,工程师能够在保证性能的同时优化电路设计,提高最终产品的市场竞争力。