SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3 产品概述

简要介绍

SI7112DN-T1-GE3 是由知名电子元件制造商 VISHAY（威世）出品的一款高性能 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。它具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种电子应用，尤其是在需要高效率和高功率处理的场合。产品在表面贴装应用中表现出色，采用 PowerPAK® 1212-8 封装，能为设计工程师提供便捷的布局与安装方案。

主要参数

• FET 配置：N 通道
• 漏源击穿电压 (V(BR)dss)：30 V
• 漏极电流 (Id, 连续)：11.3 A（在 Tc 下）
• 导通电阻 (Rds(on))：6 毫欧
• 阈值电压 (Vgs(th))：1.5 V @ 250 µA
• 最大功率耗散：1.5 W
• 工作温度范围：-50°C 至 150°C（TJ）
• 封装类型：PowerPAK® 1212-8
• 输入电容 (Ciss)：2610 pF @ 15 V
• 栅极电荷 (Qg)：27 nC @ 4.5 V
• Vgs 最大值：±12 V
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

应用领域

SI7112DN-T1-GE3 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括：

1. 开关电源：由于其低导通电阻和高电流能力，适合用于高效开关电源设计，提供更小的能量损耗和更高的效率。
2. 电机驱动：适合用于电机控制与驱动，能够有效处理较高的漏极电流和电压需求。
3. 便携式设备：在设计轻便的移动设备时，可利用其低功耗特性以延长电池寿命。
4. 汽车电子：能够在汽车动力传动系统和电气系统中处理高电流负载，保持优良的工作稳定性。

性能优势

1. 高效能：SI7112DN-T1-GE3 的导通电阻仅为 6 毫欧，极大降低了在大电流下的能量损耗。其最大漏极电流可达 11.3 A，能够在高负载条件下可靠工作。
2. 宽广的工作温度范围：该器件可在 -50°C 至 150°C 的极端环境中可靠运行，满足工业和汽车的苛刻应用需求。
3. 小型化封装：PowerPAK® 1212-8 封装将器件的尺寸降到最低，同时增强热管理性能，支持更高的功率密度设计。
4. 强大的驱动能力：支持 4.5V 和 10V 两种驱动电压，使该 MOSFET 能与各种控制电路兼容，提供不同的开关特性。

结论

SI7112DN-T1-GE3 是一款多功能、高效的 N 通道 MOSFET，适合于众多现代电子应用。凭借其卓越的电气性能、宽温范围和小型封装设计，该器件能够帮助工程师以更高效、更可靠的方式实现复杂的电子设计目标。无论是在消费电子、电机控制，还是在开关电源领域，VISHAY 的这款 MOSFET 都能帮助实现出色的性能和解决方案。