类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 8.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 315mΩ@10V,8.9A |
功率(Pd) | 3.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 880pF@75V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF@75V | 工作温度 | -50℃~+150℃ |
SI7315DN-T1-GE3 是一款来自威世(VISHAY)公司的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用表面贴装型封装(PowerPAK® 1212-8)。其具备出色的性能与高效率,广泛应用于多种电子设备中,如电源管理、DC-DC 转换、负载开关等。该元器件异常适合在严格的工作环境中运行,其工作温度范围为 -50°C 至 150°C。
SI7315DN-T1-GE3 作为一款高性能 P 型沟道 MOSFET,其应用场景覆盖广泛:
SI7315DN-T1-GE3 采用 PowerPAK® 1212-8 封装,提供优秀的热管理与空间利用,适应现代化电路设计的需求。它的表面贴装设计(SMD)使得文本安装简便,便于大批量生产中的自动化作业。
凭借其150V的耐压能力、8.9A的电流承载能力及极低的导通电阻,SI7315DN-T1-GE3 MOSFET为各种高效能电子设备和应用提供了可靠的解决方案。无论是电源管理、工业控制还是消费电子,SI7315DN-T1-GE3 都是设计师实现高效电路、提升性能的重要选择,为创新和进步保驾护航。