漏源电压(Vdss) | 12V | 连续漏极电流(Id) | 12A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@4.5V,12A | 功率(Pd) | 12W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 23nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@10V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 390pF@6V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIA413DJ-T1-GE3 是 VISHAY(威世)公司推出的一款高性能 P 通道 MOSFET,采用了先进的 PowerPAK® SC-70-6 表面贴装封装。此元件专为提升电源管理效率和热性能而设计,适用于多种高效能电源转换应用。它的主要特点包括支持高达 12V 的漏源极电压和 12A 的连续漏极电流能力,使其在各种电子设备中表现出色。
SIA413DJ-T1-GE3 的导通电阻(Rds On)在不同电流和栅极驱动电压下具有较低的值,这使得其在导通状态下功耗更低。最大导通电阻为 29 毫欧(在 4.5V 驱动电压和 6.7A 的电流条件下),确保高效的功率传输。
SIA413DJ-T1-GE3 的特性使其成为多种应用的理想选择,包括:
VISHAY 的 SIA413DJ-T1-GE3 是一款性能优异的 P 通道 MOSFET,凭借其高电流承载能力和低导通电阻,极大地提升了系统的效率。其广泛的工作温度范围和低功耗特性使其适合多种苛刻环境下的应用。考虑到现代电子设备对高性能和小型化设计的需求,该MOSFET在设计中提供了一种理想的解决方案。针对需要低导通电阻和高可靠性的电源管理和开关应用,SIA413DJ-T1-GE3 是业界的优选元件之一。 通过对其性能的全面理解,设计工程师可以更好地利用这一元件,以满足快速发展的电子市场的需求。