类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 250W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.6nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIHG30N60E-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由全球知名品牌VISHAY(威世)生产,广泛应用于电力电子、开关电源、马达驱动和逆变器等领域。这款MOSFET具有600V的漏源电压(Vdss)和高达29A的连续漏极电流(Id),使其在高压、大电流应用中展现出卓越的性能和可靠性。
SIHG30N60E-GE3的电气特性设计得非常出色,漏源电压达到600V,使其在高电压应用中具有良好的适应性。其连续漏极电流为29A,表明在进行大功率应用时可保持稳定的工作性能。
在漏源导通电阻方面,其125mΩ的低值确保了在高负载情况下的高效能和低热量损失,适用于需要高效率的电源设计。此外,栅源阈值电压为4V,能够有效控制MOSFET的开关状态,确保设备运行的可靠性。
SIHG30N60E-GE3的输入电容(Ciss)在100V下的最大值为2600pF,而栅极电荷(Qg)则为130nC(@ 10V),这表明其在切换速度方面具有良好的表现。较小的输入电容和栅极电荷意味着MOSFET能够快速响应驱动信号,有助于提高开关频率并减小开关损耗。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,适合于恶劣环境中使用,使其在工业应用中表现出色。它采用TO-247AC封装,具有良好的散热性能,有助于提高工作可靠性,并简化冷却设计。
SIHG30N60E-GE3广泛应用于以下领域:
总的来说,SIHG30N60E-GE3是一款技术先进、性能稳定的N沟道MOSFET,凭借其出色的电压、电流承载能力以及良好的开关特性,成为了高效电源和驱动系统中的理想选择。其广泛的应用可能性和可靠性,以及VISHAY的品牌保证,使得这一产品在市场中极具竞争力,适合各类现代电子设计需求。