类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.7mΩ@7.5V,60A |
功率(Pd) | 5.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.5nC@7.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.975nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIR882ADP-T1-GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)。该产品专为高效能电源管理和开关应用而设计,具备卓越的电气特性和温度稳定性。其独特的设计使其能够满足高电流和高电压的要求,广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、马达驱动以及各种电力电子设备中。
SIR882ADP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,该封装形式不仅在热管理方面表现优秀,同时也具有较小的占板面积,适合在空间受限的应用中使用。由于其出色的电气特性和热特性,SIR882ADP-T1-GE3 可广泛用于:
SIR882ADP-T1-GE3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET,涵盖了高电流以及高电压应用的需求。凭借其出色的导通特性、宽工作温度范围和高效的散热能力,该器件在现代电子设计中具有重要的应用价值。无论是在电力转换、马达驱动还是复杂的电力管理系统中,SIR882ADP-T1-GE3 都能为设计师提供可靠的解决方案,助力高性能电子产品的研发与生产。