SIR882ADP-T1-GE3 产品实物图片
SIR882ADP-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SIR882ADP-T1-GE3

商品编码: BM0000287296
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.25g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 5.4W;83W 100V 60A 1个N沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.06
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.06
--
3000+
¥2.94
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIR882ADP-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.7mΩ@7.5V,60A
功率(Pd)5.4W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19.5nC@7.5V输入电容(Ciss@Vds)1.975nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)60pF@50V工作温度-55℃~+150℃

SIR882ADP-T1-GE3手册

SIR882ADP-T1-GE3概述

SIR882ADP-T1-GE3 产品概述

基本信息

SIR882ADP-T1-GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)。该产品专为高效能电源管理和开关应用而设计,具备卓越的电气特性和温度稳定性。其独特的设计使其能够满足高电流和高电压的要求,广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、马达驱动以及各种电力电子设备中。

关键参数

  • 安装类型: 表面贴装型,适应自动化生产,节省空间。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压下,当漏极电流为 20A 时,导通电阻的最大值为 8.7 毫欧,这使得该器件在高负载电流下能够保持较低的功率损耗,提高系统的整体效率。
  • 连续漏极电流 (Id): 最大持续漏极电流为 60A(在晶片温度 Tc 下),这使得产品在高负载条件下仍能稳定工作。
  • 漏源电压 (Vdss): 具有 100V 的漏源电压额定值,适合多种高压应用。
  • 工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在极端环境下保持稳定性能,适合工业和汽车等要求高可靠性的应用场合。

驱动与性能

  • 驱动电压 (Vgs): 可以在 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压下启动和运行。相应的,最大栅极电压为 ±20V,提供了宽泛的兼容性,适应各种驱动电路设计。
  • 输入电容 (Ciss): 在 50V 时的输入电容为 1975pF,适合高速开关应用,确保快速响应时间,减少损耗。
  • 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅极驱动下,最大栅极电荷为 60nC,代表着在开关频率较高的情况下,所需的驱动功率较低,从而进一步提高了系统的效率。

封装与应用

SIR882ADP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,该封装形式不仅在热管理方面表现优秀,同时也具有较小的占板面积,适合在空间受限的应用中使用。由于其出色的电气特性和热特性,SIR882ADP-T1-GE3 可广泛用于:

  • DC-DC 转换器:在电源电压转化过程中提供高效能开关。
  • 马达驱动:用于控制直流电机、步进电机的驱动开关。
  • 高频开关应用:因其快速的开关时间,适合高频率运作的电力电子设备。
  • 符合汽车应用中高温及极端环境需求,如电机控制模块及其它电子控制单元。

结论

SIR882ADP-T1-GE3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET,涵盖了高电流以及高电压应用的需求。凭借其出色的导通特性、宽工作温度范围和高效的散热能力,该器件在现代电子设计中具有重要的应用价值。无论是在电力转换、马达驱动还是复杂的电力管理系统中,SIR882ADP-T1-GE3 都能为设计师提供可靠的解决方案,助力高性能电子产品的研发与生产。