类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,12A |
功率(Pd) | 2.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 95pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIS406DN-T1-GE3 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)出品的 N 沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。该器件专为高效能的电子电路设计而优化,其高工作电流和低导通电阻设计,使其在多种应用中具有卓越的性价比和可靠性。
SIS406DN-T1-GE3 的设计考虑了现代电子设备对功耗和效率的需求。它的漏源电压 (Vdss) 达到 30V,提供了足够的电压范围,可以满足大多数低至中等电压应用的需求。 该产品的连续漏极电流可达 9A,使其适合用于高功率输出的电路设计。
该器件的导通电阻 (Rds(on)) 为 8.8毫欧,在高电流应用中能有效降低功率损耗,从而提高能效。对于需要高开关频率和低导通损耗的应用,SIS406DN-T1-GE3 表现出色,尤其是在电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。
阈值电压 (Vgs(th)) 为 3V,适合多种驱动电压环境,同时可在 4.5V 和 10V 下获得最佳导通状态,满足了不同设计需求的灵活性。
SIS406DN-T1-GE3 适合于多种应用领域,包括但不限于:
SIS406DN-T1-GE3 不仅在性能上表现优越,其小巧的 PowerPAK® 1212-8 封装还使其适合于现代紧凑型电路设计。长工作温度范围 -55°C ~ 150°C 的特点,使其在各种严苛环境下均能稳定工作,增强了产品的可靠性。
作为威世公司的产品,SIS406DN-T1-GE3 背后有强大的研发和技术支持,确保用户在使用过程中能够得到全方位的服务与支持。
SIS406DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备多项优越特性,如低导通电阻、高漏电流承载能力和广泛的工作温度范围,适合于多种现代电源管理及控制应用。其稳定性和高效性使得它在复杂的电子设计中具有独特的竞争优势,是电子工程师在选型时值得考虑的理想产品。