SIS406DN-T1-GE3

产品概述：SIS406DN-T1-GE3

1. 概述

SIS406DN-T1-GE3 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品的 N 沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高效能的电子电路设计而优化，其高工作电流和低导通电阻设计，使其在多种应用中具有卓越的性价比和可靠性。

2. 主要参数

• FET配置：N沟道
• 漏源击穿电压 (V(BR)dss)：30V
• 连续漏极电流 (Id)：9A（在环境温度下）
• 导通电阻 (Rds(on))：8.8毫欧
• 阈值电压 (Vgs(th))：3V @ 250µA
• 最大耗散功率：1.5W
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 封装：PowerPAK® 1212-8

3. 特性分析

SIS406DN-T1-GE3 的设计考虑了现代电子设备对功耗和效率的需求。它的漏源电压 (Vdss) 达到 30V，提供了足够的电压范围，可以满足大多数低至中等电压应用的需求。 该产品的连续漏极电流可达 9A，使其适合用于高功率输出的电路设计。

该器件的导通电阻 (Rds(on)) 为 8.8毫欧，在高电流应用中能有效降低功率损耗，从而提高能效。对于需要高开关频率和低导通损耗的应用，SIS406DN-T1-GE3 表现出色，尤其是在电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。

阈值电压 (Vgs(th)) 为 3V，适合多种驱动电压环境，同时可在 4.5V 和 10V 下获得最佳导通状态，满足了不同设计需求的灵活性。

4. 应用领域

SIS406DN-T1-GE3 适合于多种应用领域，包括但不限于：

• 电源管理：适用于开关电源、DC-DC 转换器等，帮助提高整体系统的效率和稳定性。
• 电机控制：在电机驱动设计中，可利用其高电流承载能力来提高电机运行的平滑性和响应速度。
• 消费电子：可广泛应用于各类消费电子产品，如电视、智能手机等，提供高效的功率转换。
• 工业设备：在需要高效率和高可靠性的工业控制系统中，SIS406DN-T1-GE3 是一个理想选择。

5. 竞争优势

SIS406DN-T1-GE3 不仅在性能上表现优越，其小巧的 PowerPAK® 1212-8 封装还使其适合于现代紧凑型电路设计。长工作温度范围 -55°C ~ 150°C 的特点，使其在各种严苛环境下均能稳定工作，增强了产品的可靠性。

作为威世公司的产品，SIS406DN-T1-GE3 背后有强大的研发和技术支持，确保用户在使用过程中能够得到全方位的服务与支持。

6. 总结

SIS406DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具备多项优越特性，如低导通电阻、高漏电流承载能力和广泛的工作温度范围，适合于多种现代电源管理及控制应用。其稳定性和高效性使得它在复杂的电子设计中具有独特的竞争优势，是电子工程师在选型时值得考虑的理想产品。