STB4NK60ZT4

产品概述：STB4NK60ZT4 N沟道MOSFET

基本信息

STB4NK60ZT4是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用D2PAK封装，专为高压和中等电流应用设计。该器件的漏源极电压（Vdss）为600V，能够承受高达4A的连续漏极电流，适用于要求较高的开关频率和效率的电路设计。其卓越的电性能使其成为电源转换、电机驱动以及其他需要高效率开关的应用的理想选择。

关键特性

1. 高电压承受能力：STB4NK60ZT4的漏源极电压（Vdss）高达600V，使其在高压应用中表现出色，能有效保护电路免受过压影响。

2. 连续漏极电流：在25°C条件下，STB4NK60ZT4的连续漏极电流为4A，能够满足多种场合对电流的需求，特别是在功率转换和电力控制电路中。

3. 导通电阻：该器件在2A、10V驱动条件下的最大导通电阻（Rds(on)）为2欧姆，这一特性确保在开关时的能量损失最小，提高整体电路效率。

4. 高门电压灵活性：STB4NK60ZT4支持最高±30V的栅极—源极电压（Vgs），同时有利于不同的驱动电压和开关应用，增强了设计的灵活性。

5. 低输入电容：在25V下输入电容（Ciss）最大为510pF，这一特性确保了设备的快速开关能力，有助于提高电路的工作频率及效率。

6. 高温工作范围：工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），保证了即使在极端环境下也能保持稳定性能，是高温工业应用及汽车电子系统的理想选择。

7. 功率耗散能力：STB4NK60ZT4具有70W的最大功率耗散能力，这使其能够在较高强度的工作环境下稳定运行。

应用场景

STB4NK60ZT4 N沟道MOSFET特别适用于以下应用：

• 开关电源：用于DC-DC转换器及AC-DC适配器等。
• 电机驱动：在电机控制和驱动电路中，确保高效的能量转换与控制。
• 工业控制：在自动化及工厂控制系统中作为功率开关，控制负载的通断。
• 汽车电子：用于各种汽车电子系统中，如电池管理系统和电动汽车驱动系统。
• 家用电器：意义重大的应用在于各种类型的家用电器中的能效管理与控制。

总结

STB4NK60ZT4 MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能器件，结合了高电压承受能力、低导通电阻及灵活的驱动电压范围，能够有效应用于各种高压和中等电流的电源管理及控制系统。该器件在功率转换领域表现出色，不仅能够提高系统的整体效率，而且在多种工业及消费电子领域中的广泛应用使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。选择STB4NK60ZT4将为您的电路设计提供强大支持。