STD3NK50ZT4
STD3NK50ZT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.3A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 3.3Ω @ 1.15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 45W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 欧姆 @ 1.15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 280pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD3NK50ZT4手册
STD3NK50ZT4概述
产品概述：STD3NK50ZT4 N沟道MOSFET
STD3NK50ZT4 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具有500V的漏源电压（Vdss）、2.3A的连续漏极电流（Id）以及45W的最大功率耗散（Ta = 25°C）。在现代电子设计中，这款MOSFET由于其优异的电气特性和可靠性，被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电动机驱动和新能源设备等多个领域。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 连续漏极电流（Id）: 2.3A （在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 3.3Ω @ 1.15A, 10V
- 最大功率耗散: 45W （在有限的工作温度下，Tc = 25°C）
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
- 栅极电荷（Qg）: 15nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 280pF @ 25V
- 最大栅源电压（Vgs）: ±30V
- 封装类型: DPAK（TO-252-3）
性能优势
STD3NK50ZT4的设计充分考虑了高电压输入应用的需求。其500V的漏源电压使其在高压环境中表现卓越。这款MOSFET的低导通电阻3.3Ω在1.15A的电流下，使得其在开关过程中能够有效地降低功耗，提升设备效率。
该MOSFET的栅源阈值电压为4.5V，这意味着其可以在较低的栅电压下被激活，适合于低端驱动电路。其驱动电压范围为10V，可以在大多数常见的应用场景中获得最佳性能。
应用场景
STD3NK50ZT4非常适合用于高效的开关模式电源（SMPS）、电动车辆、光伏逆变器、工业控制系统以及高能效电机驱动等。这些应用对MOSFET的性能提出了较高的要求，而STD3NK50ZT4凭借其优异的电气特性和可靠性，可以轻松满足这些挑战。
例如，在开关电源设计中，使用这款MOSFET可以有效地减少开关损耗，提高系统效率，实现更高的功率密度。同时，其耐高温和高压的特性为长时间稳定工作提供了保障，减少了因过热或过载导致的潜在故障风险。
封装与安装
STD3NK50ZT4采用表面贴装型DPAK封装（TO-252-3），具有小型化、轻量化的特性，便于大规模生产和自动化贴装。DPAK封装的设计有助于有效散热，提升器件的工作稳定性。此外，其封装尺寸和引脚布局符合行业标准，确保与现有电路设计的良好兼容性。
结论
作为一款高性能的N沟道MOSFET，STD3NK50ZT4凭借其优越的电气特性、可靠的工作性能以及广泛的应用适应性，成为各种电源管理和控制电路的理想选择。无论是用于工业应用，还是在消费电子产品中，STD3NK50ZT4都能够为设计师提供强大的支持和灵活的设计选择。选择STD3NK50ZT4，有助于实现更高效、更可靠的电子产品设计，同时推动科技创新的发展。