类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 46A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,23A |
功率(Pd) | 25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.98nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 86pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STF100N6F7是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道MOSFET,采用TO-220-3封装。该器件以其卓越的电流承载能力和低导通电阻而闻名,广泛应用于电源管理、转换器、马达驱动等多种领域。其额定漏源极电压(Vdss)为60V,最大连续漏极电流(Id)为46A,适合高负载的电力应用。
STF100N6F7具备卓越的电性能和热性能,适应于各种严苛的环境条件。其工作温度范围广泛,能在高达175°C的环境中稳定运行。MOSFET的低导通电阻(Rds On)意味着它在工作时能有效降低功耗,提高系统效率。这一特性使得STF100N6F7在高频率和高效能应用中得以应用,如开关电源和其他高频转换电源中。
STF100N6F7被广泛应用于:
在设计采用STF100N6F7的电路时,需要注意以下几点:
STF100N6F7是一款具有高负载能力和低耗能特性的N沟道MOSFET,适用于多种应用场景。凭借其可靠的性能和丰富的参数配置,该器件为工程师在进行高效电路设计时提供了极大的便利和灵活性。无论是在电力电子还是电源管理领域,STF100N6F7都将是一个出色的选择。