类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 260mΩ@10V,1.2A |
功率(Pd) | 3.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@80V | 输入电容(Ciss@Vds) | 280pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STN2NF10是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),该器件设计用于高效的电源管理、开关电路及其他需要高电压和电流处理的应用。STN2NF10具有优越的电气性能和高可靠性,封装为SOT-223型,适合于表面贴装技术(SMT),具有良好的热管理性能。
STN2NF10因其优异的电气特性,广泛用于各种电气和电子应用中,具体包括但不限于:
STN2NF10采用SOT-223封装,这是一种流行的表面贴装式封装,适合自动化生产和高密度电路板设计。其结构设计有效减少了占板面积,提高了PCB布线的灵活性。
STN2NF10以其100V的高漏源电压、2.4A的连续漏极电流、260毫欧的导通电阻和3.3W的功率耗散能力,成为了一款在电源管理及各种开关应用中不可或缺的N沟道MOSFET。它的设计和性能使得用户能够在多种电气环境下使用,确保了设备的高效能和长久的可靠性,是现代电子设计中理想的解决方案。