类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
一、产品简介
STP11NK40ZFP 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件设计用于高压和高电流应用,具有出色的导通特性和良好的热管理能力,适合在多种电源管理、电机驱动和开关应用中使用。产品的封装类型为TO-220, 提供了出色的散热性能和易于集成的特性。
二、主要参数
漏源电压(Vdss): 400V
连续漏极电流(Id): 9A @ 25°C
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4.5V @ 100µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 550mΩ @ 4.5A, 10V
最大功率耗散: 30W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: TO-220
三、应用领域
STP11NK40ZFP MOSFET 适用于多种应用场景,包括但不限于:
四、技术特点
高性能开关特性:由于其低的Rds(on)和较快的开关速度,STP11NK40ZFP 能够有效地减少开关过程中的功耗。
高温工作能力:产品设计考虑到高温工作条件,使其在极端环境下依然能够稳定工作,提高了整体可靠性。
优化驱动设计:最大栅电压为±30V,适配多种控制逻辑,实现高效的开关控制。
五、总结
总体而言,STP11NK40ZFP是一款性能卓越、稳定可靠的N沟道MOSFET,汇聚了高电流、电压承受能力和优异的散热特性。凭借其多种优越特性,广泛适用于电源管理、工业设备和汽车电子等领域。意法半导体凭借其强大的可靠性和创新技术,继续为客户提供高质量的电子元器件,助力产品研发和工程应用。