类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 380mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 35W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 92nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品简介: STP14NK50ZFP 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能 N 沟道 MOSFET,广泛应用于高压、高功率的电子电路设计。该元器件具有 500V 的漏源电压(Vdss)、14A 的连续漏极电流(Id)、以及优异的导通电阻特性(Rds(on))。
主要参数:
性能特点: STP14NK50ZFP 的高漏源电压(500V)使其能够在需要承受高电压的应用中表现出色,例如开关电源、逆变器和电动机驱动等。该器件的连续漏极电流达到 14A,适用于较大功率需求的场合。此外,它的漏源导通电阻较低(380mΩ),能够有效减少功耗和发热,提高系统的能效与稳定性。
工作特性: 此 MOSFET 的栅源极阈值电压为 4.5V,这意味着其在较低的栅驱动电压下便能够开启,从而提高了驱动电路的灵活性。此外,对栅极电荷(Qg)的优化设计使得其开关速度较快,从而有效支持高频应用。
热管理: STP14NK50ZFP 在设计时考虑了良好的热管理表现,其最大功率耗散能力为 35W,在适当的散热措施下,可以支持高负载运行而不会导致过热问题。而它的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,能够在极端环境条件下可靠运行,适用于工业、汽车和电源管理等众多领域。
封装优势: 该元器件采用 TO-220FP 封装,支持通孔安装,具有良好的散热特性,并且安装简便,适合大规模生产的应用设计。TO-220 封装的设计使得该器件更容易与散热器连接,进一步增强了散热能力。
应用场景: STP14NK50ZFP 适用于广泛的电子电气应用场合,包括:
总结: STP14NK50ZFP 是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET,其出色的电气特性、可靠的热管理、以及宽广的工作温度范围,使其成为高压高功率应用的理想选择。作为意法半导体的推荐器件,其在提升系统效率和稳定性方面具有重要价值,是电子工程师和设计师在选择元器件时的优先选择。无论是在工业应用,还是在消费电子及汽车电子领域,STP14NK50ZFP 都展现出其卓越的性能优势和应用潜力。