类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 20A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 169W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 34nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.36nF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STP26N60M2 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)生产,专为需要高电压和高电流的应用场合设计。该器件的额定漏源电压为 600V,连续漏极电流达 20A,具有优异的功率处理能力,最大功率耗散可达 169W,适合用于各种高效能的功率转换和开关应用。
电气参数:
开关性能:
封装和安装:
高频特性:
STP26N60M2 适合应用于多种工业和消费电子产品中,主要包括但不限于:
STP26N60M2 是一款功率 MOSFET,具有高电压、高电流及优异的散热能力,适合多种高能效电子应用。凭借意法半导体的领先技术,该产品在确保性能和可靠性的同时,也能有效控制成本。在选用此器件时,设计工程师能够针对不同应用优化配合选型,快速响应市场对高效能产品的需求。无论是在工业领域、消费电子还是其他专业应用中,STP26N60M2 都将是一个值得考虑的优质选择。