类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 80A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V,40A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 104nC@50V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.27nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STP60NF10 是意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有100V的漏源极电压(Vdss)和80A的连续漏极电流(Id),封装类型为TO-220-3。这款 MOSFET 适用于各种需要高电流高电压的功率电子应用,如电源转换器、马达驱动、电灯调光器以及其他需要高效率开关的电路。
封装类型: TO-220-3
漏源极电压 (Vdss): 100V
连续漏极电流 (Id): 80A
导通电阻 (Rds(on)): 最大值为23毫欧(@ 40A,10V)
栅源电压 (Vgs): ±20V
栅极电荷 (Qg): 最大值104nC(@ 10V)
输入电容 (Ciss): 最大值4270pF(@ 25V)
功率耗散 (Pd): 最大值300W
STP60NF10 的设计使其在多种应用中表现优异,包括但不限于:
开关电源 (SMPS):
马达驱动:
DC-DC 转换器:
音频放大器:
LED 驱动:
STP60NF10 是一款性能卓越的N沟道MOSFET,尤其适合高电压和高电流的功率应用领域。凭借其低导通电阻、高功率耗散能力和良好的开关性能,该器件能够有效降低能量损耗,提升电路的整体效率。无论是在电源管理、马达控制还是其他高功率应用中,STP60NF10 都是一款值得信赖的解决方案。如果您的项目涉及到高效能和高稳定性的电源或者驱动控制,STP60NF10 都是一个值得推荐的选择。