类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 780mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 160W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 72nC@640V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.18nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STW10NK80Z 是意法半导体(STMicroelectronics)公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET,能够在满足高电压和高电流要求的应用中表现出色。其漏源电压(Vdss)高达 800V,连续漏极电流(Id)为 9A(在 25°C 的条件下),并且在关键参数上展现出优良的性能。这使得 STW10NK80Z 特别适合用于电源管理、逆变器、马达驱动和高频开关应用等多种场合。
STW10NK80Z 的高漏源电压和操作电流使其非常适合在高电压电源转换器、开关电源(SMPS)、焊接设备以及电动工具等应用中使用。MOSFET 的高功率耗散能力(160W)确保其在恶劣环境下仍能保持稳定的性能。
此外,由于其低导通电阻(Rds(on)),该器件在导通状态下能有效减少功率损耗,并提高系统的整体效率。这一点在要求高效率和低热量的应用中尤为重要。例如,在逆变器设计中,STW10NK80Z 可显著降低热管理的复杂性,延长设备的使用寿命。
STW10NK80Z 是一款结合高性能和高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适合各类需要高电压和高电流的电子应用。凭借其杰出的导通特性和强大的耐压能力,STW10NK80Z 可以帮助设计师和开发人员在构建高效电源管理系统时降低设计难度,同时优化系统性能。无论是在逆变器、电源转换器,还是在各种工业设备中,STW10NK80Z 都能成为理想的选择,支持高效能和耐用性的电子产品开发。