类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 34A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 78mΩ@10V,17A |
功率(Pd) | 250W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 57nC@480V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.5nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.4pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STW40N60M2是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道MOSFET,专为高电压和高电流应用设计。这款MOSFET具有600V的漏源电压(Vdss)和34A的连续漏极电流(Id @ 25°C),能够满足多种电源管理、开关电源和转换器等领域的需求。得益于其优越的技术特点,STW40N60M2在现代电子设计中提供了卓越的效率和可靠性。
漏源电压(Vdss): 600V
STW40N60M2的高电压能力使其适用于需要高电压操作的应用,如工业电源和高压变换器。
连续漏极电流(Id): 34A @ 25°C
该产品在温度为25°C的条件下能够提供高达34A的电流,无论是在电源转换中,还是在电机驱动等场合都具有良好的适应性。
导通电阻(Rds(on)): 88mΩ @ 17A, 10V
低导通电阻大幅降低了开关损耗,使得STW40N60M2在高频应用下保持优秀的热性能和能效。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA
为驱动电路的设计提供适应性,栅极电压只需4V即能有效开启该MOSFET,有助于降低驱动电压的要求并提升系统的兼容性。
最大功率耗散: 250W @ Tc
STW40N60M2的设计允许在高输入和负载条件下稳定运行,其卓越的功率耗散能力使其在复杂的电源转换应用中表现出色。
STW40N60M2被广泛应用于多个领域,特别是需要高电压和高电流的应用,主要包括:
STW40N60M2是意法半导体的一款极具竞争力的N沟道MOSFET,因其高电压、高电流特性以及优良的热管理性能而广受青睐。在当前对高效率、高可靠性电子元器件需求日益增大的背景下,该MOSFET无疑为各种高压电源解决方案提供了卓越支持,是设计工程师的理想选择。