SUD50P06-15-GE3

产品概述：SUD50P06-15-GE3 P沟道 MOSFET

一、产品简介

SUD50P06-15-GE3 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由著名的威世（VISHAY）品牌制造。该器件设计用于需要高电流和高电压的电子电路，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能电子开关的设备。其可靠的性能与多样的应用使其在电子设计中成为不可或缺的元件。

二、关键规格

• 漏源电压 (Vdss): 60V
• 连续漏极电流 (Id): 50A（在 25°C 温度下）
• 功率耗散: 2.5W（环境温度 Ta=25°C），113W（芯片温度 Tc）
• 导通电阻 (Rds On): 15mΩ（在 17A 和 10V 时）
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大值 165nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss): 最大值 4950pF @ 25V
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C (TJ)
• 驱动电压: 4.5V 至 10V（最大与最小 Rds On）
• 封装类型: TO-252（D-Pak）表面贴装

三、性能特点

1. 高功率处理能力：SUD50P06-15-GE3 的设计允许其在高达 113W 的功率消散下正常工作，适合各种高负载的应用场景。

2. 低导通电阻：该MOSFET在 10V 驱动下，导通电阻仅为 15mΩ，这表明在开关工作状态下，几乎可以忽略的能量损耗和发热，确保了电路的高效能。

3. 宽广的工作温度范围：该产品能够在极端环境下稳定运行，从 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围使其适用于汽车、工业与军事等应用领域的严酷环境。

4. 表面贴装设计：TO-252/D-Pak 封装提升了装置的集成度和自动化生产的效率，同时良好的热管理特性有助于降低整体系统的热量。

四、应用领域

SUD50P06-15-GE3 在多个领域中获得广泛应用，具体包括：

• 电源管理：作为电源转换电路的开关元件，提供高效的能量转换，减小能量损失。
• 电机控制：可用于直流电机和无刷电机的控制，提升响应速度与效率。
• 开关电源：在各种开关电源设计中，作为输出开关提供高性能支持。
• 汽车应用：适合在汽车电子系统中，控制高电流负载，提供高效、低噪音的解决方案。

五、总结

作为一款高效能的 P 沟道 MOSFET，SUD50P06-15-GE3 结合了出色的电流承载能力、低导通电阻以及宽温工作范围，极大地提高了各种电子应用中的可靠性和性能。其先进的技术及品质保证了其在业内的领先地位，使其成为现代电子设计中的重要组成部分。在开发高性能电子应用时，选择 SUD50P06-15-GE3 将是一个理想的选择。