SUD50P06-15-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SUD50P06-15-GE3

商品编码: BM0000287450
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-252,(D-Pak)
包装 : 
编带
重量 : 
0.528g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;113W 60V 50A 1个P沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
14099(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
5.59
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.59
--
2000+
¥5.4
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

SUD50P06-15-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)27.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,50A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)165nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.95nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)405pF@25V工作温度-55℃~+150℃

SUD50P06-15-GE3手册

SUD50P06-15-GE3概述

产品概述:SUD50P06-15-GE3 P沟道 MOSFET

一、产品简介

SUD50P06-15-GE3 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由著名的威世(VISHAY)品牌制造。该器件设计用于需要高电流和高电压的电子电路,广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能电子开关的设备。其可靠的性能与多样的应用使其在电子设计中成为不可或缺的元件。

二、关键规格

  • 漏源电压 (Vdss): 60V
  • 连续漏极电流 (Id): 50A(在 25°C 温度下)
  • 功率耗散: 2.5W(环境温度 Ta=25°C),113W(芯片温度 Tc)
  • 导通电阻 (Rds On): 15mΩ(在 17A 和 10V 时)
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值 165nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss): 最大值 4950pF @ 25V
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C (TJ)
  • 驱动电压: 4.5V 至 10V(最大与最小 Rds On)
  • 封装类型: TO-252(D-Pak)表面贴装

三、性能特点

  1. 高功率处理能力:SUD50P06-15-GE3 的设计允许其在高达 113W 的功率消散下正常工作,适合各种高负载的应用场景。

  2. 低导通电阻:该MOSFET在 10V 驱动下,导通电阻仅为 15mΩ,这表明在开关工作状态下,几乎可以忽略的能量损耗和发热,确保了电路的高效能。

  3. 宽广的工作温度范围:该产品能够在极端环境下稳定运行,从 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围使其适用于汽车、工业与军事等应用领域的严酷环境。

  4. 表面贴装设计:TO-252/D-Pak 封装提升了装置的集成度和自动化生产的效率,同时良好的热管理特性有助于降低整体系统的热量。

四、应用领域

SUD50P06-15-GE3 在多个领域中获得广泛应用,具体包括:

  • 电源管理:作为电源转换电路的开关元件,提供高效的能量转换,减小能量损失。
  • 电机控制:可用于直流电机和无刷电机的控制,提升响应速度与效率。
  • 开关电源:在各种开关电源设计中,作为输出开关提供高性能支持。
  • 汽车应用:适合在汽车电子系统中,控制高电流负载,提供高效、低噪音的解决方案。

五、总结

作为一款高效能的 P 沟道 MOSFET,SUD50P06-15-GE3 结合了出色的电流承载能力、低导通电阻以及宽温工作范围,极大地提高了各种电子应用中的可靠性和性能。其先进的技术及品质保证了其在业内的领先地位,使其成为现代电子设计中的重要组成部分。在开发高性能电子应用时,选择 SUD50P06-15-GE3 将是一个理想的选择。