类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 27.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,50A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 165nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.95nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 405pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:SUD50P06-15-GE3 P沟道 MOSFET
一、产品简介
SUD50P06-15-GE3 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由著名的威世(VISHAY)品牌制造。该器件设计用于需要高电流和高电压的电子电路,广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能电子开关的设备。其可靠的性能与多样的应用使其在电子设计中成为不可或缺的元件。
二、关键规格
三、性能特点
高功率处理能力:SUD50P06-15-GE3 的设计允许其在高达 113W 的功率消散下正常工作,适合各种高负载的应用场景。
低导通电阻:该MOSFET在 10V 驱动下,导通电阻仅为 15mΩ,这表明在开关工作状态下,几乎可以忽略的能量损耗和发热,确保了电路的高效能。
宽广的工作温度范围:该产品能够在极端环境下稳定运行,从 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围使其适用于汽车、工业与军事等应用领域的严酷环境。
表面贴装设计:TO-252/D-Pak 封装提升了装置的集成度和自动化生产的效率,同时良好的热管理特性有助于降低整体系统的热量。
四、应用领域
SUD50P06-15-GE3 在多个领域中获得广泛应用,具体包括:
五、总结
作为一款高效能的 P 沟道 MOSFET,SUD50P06-15-GE3 结合了出色的电流承载能力、低导通电阻以及宽温工作范围,极大地提高了各种电子应用中的可靠性和性能。其先进的技术及品质保证了其在业内的领先地位,使其成为现代电子设计中的重要组成部分。在开发高性能电子应用时,选择 SUD50P06-15-GE3 将是一个理想的选择。