类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2Ω@10V,1A |
功率(Pd) | 23W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
SVF2N60F是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),具有600V的漏源电压和2A的持续漏极电流,广泛应用于高压开关电源、逆变器、马达驱动以及其他电源管理电路中。该产品由士兰微(SILAN)制造,采用TO-220F封装,专为高效能和高可靠性设计,适应多种工业应用场景。
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 2A (25°C)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250uA
漏源导通电阻(Rds(on)): 4.2Ω @ 1A, 10V
最大功率耗散(Pd): 23W (Ta=25°C)
封装类型: TO-220F
SVF2N60F MOSFET凭借其优异的性能,可以广泛应用于:
开关电源: 完美的漏源电压和导通电阻特性,使其适合高频开关操作,提高电源的效率。
电机控制: 在马达驱动电路中,MOSFET的快速开关能力减少了能量损失和热量产生。
电源管理: 能够有效地控制电源的分配和调度,在消费电子、工业控制等领域发挥重要作用。
逆变器: 在太阳能逆变器和变频驱动系统中使用,帮助转换和控制电能。
高压工作能力: 能够稳定工作在600V的高压环境中,使其适应更广泛的应用场景。
低导通电阻: 相对较低的通电阻降低了能耗,同时减少了设备发热。
良好的散热性能: TO-220F封装设计优化了散热能力,在实际应用中可以有效延长器件的使用寿命。
快速开关特性: 适应高频操作的需求,提高了开关电源的功率密度和效率。
SVF2N60F是士兰微(SILAN)推出的一款出色的N沟道MOSFET,具备600V的高耐压和2A的优良电流承载能力,满足现代电子设备对高效能、高可靠性的需求。该器件的多种设计特性,使其成为多种工业和消费电子应用中的理想选择。在选择场效应管时,SVF2N60F凭借其优异的性能和可靠性,将为您的设计提供强有力的支持。