SVF2N60F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SVF2N60F

商品编码: BM0000287452
品牌 : 
SILAN(士兰微)
封装 : 
TO-220F 塑封
包装 : 
管装
重量 : 
3g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 23W 600V 2A 1个N沟道 TO-220F
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.816
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.816
--
1000+
¥0.751
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

SVF2N60F参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.2Ω@10V,1A
功率(Pd)23W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

SVF2N60F手册

SVF2N60F概述

SVF2N60F 产品概述

一、产品简介

SVF2N60F是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),具有600V的漏源电压和2A的持续漏极电流,广泛应用于高压开关电源、逆变器、马达驱动以及其他电源管理电路中。该产品由士兰微(SILAN)制造,采用TO-220F封装,专为高效能和高可靠性设计,适应多种工业应用场景。

二、关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): 600V

    • SVF2N60F的最高漏极到源极的电压为600V,使其能够在高压环境下稳定工作。
  2. 连续漏极电流(Id): 2A (25°C)

    • 在环境温度为25°C时,该器件可持续流动2A的电流,适合众多应用需求。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250uA

    • 栅源电压阈值为4V,则在此电压下,漏极电流达到250µA,便于与低电压控制电路匹配。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 4.2Ω @ 1A, 10V

    • 该参数在多个应用中高效降低了功耗,提高了整体效率,特别是在驱动较高电流的设备时。
  5. 最大功率耗散(Pd): 23W (Ta=25°C)

    • 在环境温度25°C下,该器件的最大功率损耗为23W,表明其在较高功率操作下保持的稳定性和散热能力。
  6. 封装类型: TO-220F

    • TO-220F封装为该MOSFET提供良好的散热性能,使其能在较高功率下稳定工作,同时有利于PCB布局与设计。

三、应用领域

SVF2N60F MOSFET凭借其优异的性能,可以广泛应用于:

  • 开关电源: 完美的漏源电压和导通电阻特性,使其适合高频开关操作,提高电源的效率。

  • 电机控制: 在马达驱动电路中,MOSFET的快速开关能力减少了能量损失和热量产生。

  • 电源管理: 能够有效地控制电源的分配和调度,在消费电子、工业控制等领域发挥重要作用。

  • 逆变器: 在太阳能逆变器和变频驱动系统中使用,帮助转换和控制电能。

四、性能优势

  1. 高压工作能力: 能够稳定工作在600V的高压环境中,使其适应更广泛的应用场景。

  2. 低导通电阻: 相对较低的通电阻降低了能耗,同时减少了设备发热。

  3. 良好的散热性能: TO-220F封装设计优化了散热能力,在实际应用中可以有效延长器件的使用寿命。

  4. 快速开关特性: 适应高频操作的需求,提高了开关电源的功率密度和效率。

五、总结

SVF2N60F是士兰微(SILAN)推出的一款出色的N沟道MOSFET,具备600V的高耐压和2A的优良电流承载能力,满足现代电子设备对高效能、高可靠性的需求。该器件的多种设计特性,使其成为多种工业和消费电子应用中的理想选择。在选择场效应管时,SVF2N60F凭借其优异的性能和可靠性,将为您的设计提供强有力的支持。