类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 250V |
连续漏极电流(Id) | 240mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5Ω@10V,500mA |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.65nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 72pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
一、产品简介
ZVN4525ZTA 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,广泛应用于开关电源、功率管理、电机驱动以及其他需要高效电源开关的电子设备中。其最大漏源电压(Vdss)高达 250V,能够有效应对多种高压应用场景。同时,其设计考虑了大范围的操作温度,从 -55°C 至 150°C,使其具有优越的环境适应能力,适合在各种苛刻条件下使用。
二、主要规格
漏源电压 (Vdss):250V
连续漏极电流 (Id):240mA @ 25°C
漏源导通电阻 (Rds(on)):8.5Ω @ 500mA, 10V
栅源极阈值电压 (Vgs(th)):1.8V @ 1mA
最大功率耗散:1.2W @ Ta = 25°C
栅极电荷 (Qg):3.65nC @ 10V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-89
三、应用领域
ZVN4525ZTA 由于其优异的电气特性,广泛应用于以下领域:
四、总结
作为 DIODES(美台)品牌下的一款高性能 N 沟道 MOSFET,ZVN4525ZTA 在设计上兼顾了高电压、大电流、低导通电阻及高温度稳定性等多项优势,适应了当前电子行业对高效、可靠元件的需求。选择 ZVN4525ZTA,能够有效提升电路的性能及整体工作效率,为用户提供更为稳健的电力解决方案。