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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册
ZXMN6A25KTC
商品编码: BM0000287555
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.529g
描述 : 
表面贴装型-N-通道-60V-7A(Ta)-2.11W(Ta)-TO-252-3
库存 :
18634(起订量1,增量1)
批次 :
5年外
数量 :
X
1.59
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.59
--
100+
¥1.22
--
1250+
¥1.04
--
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压3V @ 250uA漏源导通电阻50mΩ @ 3.6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.11W类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)20.4nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1063pF @ 30V
FET 功能-功率耗散(最大值)2.11W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-252-3封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
产品手册
常见问题

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