ZXMN6A25KTC
商品编码: BM0000287555
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TO252
包装 :
编带
重量 :
0.529g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.11W 60V 7A 1个N沟道 TO-252
库存 :
18602(起订量1,增量1)
批次 :
5年外数量 :
X
1.59按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.59
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100+
￥1.22
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1250+
￥1.04
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产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 3.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.11W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1063pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 2.11W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
产品手册
常见问题
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