类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 5.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@10V,2.8A |
功率(Pd) | 10.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 26.9nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.055nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 76pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP10A18KTC 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有出色的电气特性和广泛的应用能力。该元件由美台(DIODES)品牌生产,采用 TO-252 封装,设计旨在满足各种电子电路中的开关和放大需求。此 MOSFET 具有高达 100V 的漏源电压(Vdss),连续漏极电流(Id)达到 3.8A,适用于需要较高耐压和电流处理能力的应用场合。
漏源电压(Vdss): ZXMP10A18KTC 的最大漏源电压为 100V,这使其可以在高电压操作条件下安全工作,适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及其他高压应用。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,ZXMP10A18KTC 的最大连续漏极电流为 3.8A。这一特性使其在电源开关和电机驱动器中表现出色,能够应对较大的负载电流。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 本品的栅源极阈值电压为 4V @ 250µA,能够快速开关,无需使用高电压信号,减少了控制电路的复杂性。
漏源导通电阻(Rds(on)): 在 2.8A 和 10V 下,漏源导通电阻为 150mΩ,确保了低功耗和较少的热量产生,有助于提高整体电路的效率。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 2.17W,使其在正常工作条件下能够保持良好的散热性能,同时防止因过载而造成的损坏。
工作温度范围: ZXMP10A18KTC 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适用于各种极端环境,保证其在恶劣条件下的可靠性和稳定性。
ZXMP10A18KTC 采用 TO-252(也称为 DPAK)封装,这是一个表面贴装型封装,适合于自动装配线加工,能够有效节省空间并提高生产效率。这种封装形式可应用于 PCB 板上,提供良好的散热性能和电性能表现。
ZXMP10A18KTC 适用于多种场合,包括但不限于:
电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器等电源管理电路中,ZXMP10A18KTC 可担当开关元件,有效控制输入和输出之间的能量传输。
电机驱动: 其高电流承载能力和极速切换特性,使其非常适合用于电机驱动应用中,以实现能量的有效控制。
负载开关: 可以作为低侧或高侧开关来控制各种负载,提供高效的开关解决方案。
ZXMP10A18KTC 是一款值得信赖的 P 沟道 MOSFET,凭借其卓越的技术参数,广泛的工作温度范围以及适宜的封装形式,能够很好地满足现代电源管理、开关电源及电机控制等领域的需求。其高性能特性使其成为电子设计工程师的理想选择,为各类应用提供了稳定可靠的解决方案。对于那些需要高效、优质且可靠的 MOSFET 元件的产品开发者,ZXMP10A18KTC 将会是一个值得考虑的优秀选择。