类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,2.3A |
功率(Pd) | 2.11W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.7nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 637pF@30V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
1. 概述
ZXMP6A17KTC是一款高性能的P沟道MOSFET,专为各种电子应用而设计,具有卓越的电气性能和可靠性。该器件不仅能够在高温和极端条件下保持稳定的性能,而且在低电压驱动和高电流应用中表现出色。这款MOSFET适用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要快速开关和低功耗的应用。
2. 关键技术参数
3. 应用领域
ZXMP6A17KTC MOSFET广泛应用于以下领域:
4. 结论
ZXMP6A17KTC P沟道MOSFET是一款兼具高压、高电流和低损耗的高性能半导体器件,凭借其卓越的电气特性和宽广的应用领域,成为现代电子设计中的理想选择。该器件不仅能够满足各种工业和消费电子产品对能效和性能的严格要求,还能够在环境温度和电气条件变化较大的情况下保持其可靠性。因此,无论是在新产品设计还是现有产品的升级中,ZXMP6A17KTC均是值得信赖的解决方案。