额定功率 | 1.5W | 集电极电流Ic | 4.5A |
集射极击穿电压Vce | 20V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4.5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 260mV @ 225mA,4.5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 10mA,2V | 功率 - 最大值 | 1.5W |
频率 - 跃迁 | 285MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
供应商器件封装 | SOT-23F |
ZXTP25020CFFTA 是一款由知名电子元件制造商 DIODES(美台)生产的高性能 PNP 型晶体管(BJT)。该晶体管专为满足多种电子设备的需求而设计,主要应用于开关电源、音频放大器及其他需要高集电极电流的电路中。它能够承受的最大集电极电流为4.5A,最大集射极击穿电压为20V,适用于不少具有一定电压与电流需求的低功耗和中功耗电子应用。
额定功率: ZXTP25020CFFTA 的额定功率为 1.5W,这使其在处理一定功率时能够维持良好的热稳定性。适合在多种电源管理和放大应用中使用。
集电极电流(Ic): 最大集电极电流为 4.5A,这使得该元器件非常适用于高电流应用,能够有效地驱动负载。
集射极击穿电压(Vce): 最大集射极击穿电压为 20V,使其适合于绝大多数低电压的电子设计。设计师可在保证性能的前提下,把电源电压设定在安全范围内。
饱和压降: 在典型工作条件下,ZXTP25020CFFTA 的 Vce 饱和压降最大值约为 260mV,特别是在225mA至4.5A的集电极电流下。这表明晶体管在饱和状态下具有较低的功耗,提高了整体电路的效率。
电流增益(hFE): 针对10mA,2V的测试条件,该器件的DC电流增益(hFE)最小值可达到200,提供良好的放大特性,适用于信号放大和开关应用。
截止电流: 在最大条件下,集电极截止电流(ICBO)仅为50nA,显示出其在非导通状态下的优良特性,降低了静态功耗。
ZXTP25020CFFTA 的跃迁频率达到 285MHz,表明其适合在高频应用中有效工作。这种高频响应能力使其在信号处理电路及射频应用中表现出色。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保其在极端环境条件下仍能稳定运行。广泛的温度范围是选择此元件的重要考虑因素,使其适应于各类工业、汽车及消费类电子产品。
ZXTP25020CFFTA 采用 SOT-23F 封装,属于表面贴装型(SMD),适合现代紧凑型电路板设计。该封装设计使其在安装时占用更小的空间,同时也便于自动化生产和焊接,提高生产效率。
ZXTP25020CFFTA 可广泛应用于以下几个领域:
ZXTP25020CFFTA 是一款综合性能优良的 PNP 型晶体管,其在多种电子应用中展现出色的特性与可靠性。通过其高集电极电流、低饱和压降以及广泛的工作温度范围,该产品无疑是开关、放大及其他电子电路设计中理想的选择,能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。