ZXMP7A17KTC
ZXMP7A17KTC参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 70V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,2.1A |
| 功率(Pd) | 2.11W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 635pF@40V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
ZXMP7A17KTC手册
ZXMP7A17KTC概述
ZXMP7A17KTC 产品概述
ZXMP7A17KTC 是一款高性能的 P 型 MOSFET，设计用于各种电子应用，特别是在低电压和中等电流的条件下。产品的封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装，确保在狭小空间内实现高效的散热和电气连接。由于其出色的电气特性，ZXMP7A17KTC 常被应用于开关电源、马达驱动、负载开关等电路中。
基础参数
漏源电压（Vdss）： ZXMP7A17KTC 最大漏源电压为 70V，这使其在多种工业和消费类电源中都能保持稳定的性能，适合处理大多数典型的电源电压条件。
连续漏极电流（Id）： 在 25°C 的环境温度下，ZXMP7A17KTC 可承受的连续漏极电流为 3.8A，能够为负载提供充足的电流支持。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 该 MOSFET 的栅源阈值电压为 1V @ 250µA，意味着其能够在较低电压下便于触发，提高了电路的灵敏度和响应速度。
漏源导通电阻（Rds(on)）： ZXMP7A17KTC 的漏源导通电阻为 160mΩ @ 2.1A, 10V，这一低 Rds(on) 参数能够有效降低通电时的功率损耗，从而提高整体能效。
最大功率耗散： 该器件的最大功率耗散为 2.11W (Ta=25°C)，确保在高负载情况下仍然能够稳定工作。
工作温度范围： ZXMP7A17KTC 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C（TJ），此广泛的温度范围使其适用于苛刻的工作环境，如汽车电子和工业控制。
驱动电压和电容： 该元件在驱动电压范围 4.5V - 10V 下具有优异的性能，输入电容 (Ciss) 最大值为 635pF @ 40V，适合快速开关操作。
封装与安装
ZXMP7A17KTC 的 TO-252 封装设计使其适合表面贴装(SMT)工艺，能够高效地散热并减少PCB占用空间。该封装支持较高的电流传输，适合于紧凑且要求高效率的应用场合。其 DPak（2 引线 + 接片）结构也为散热提供了良好的条件，确保了器件在长时间工作中的稳定性。
应用场景
ZXMP7A17KTC 可广泛应用于多种电源管理方案，包括：
- 开关电源：可用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源转换中，提供高效率和良好的动态响应。
- 马达驱动：适合用于直流电机的控制，能够在较高电压及电流条件下稳定工作。
- 负载开关：在家电和工业设备中可用作高效的开关元件，控制电源的开/关。
总结
ZXMP7A17KTC 是一款具备高漏源电压、低导通电阻和宽温工作范围的 P 型 MOSFET，凭借其优异的性能和封装设计，使其成为理想的电源管理和开关控制解决方案。其广泛的应用领域与高可靠性使得 ZXMP7A17KTC 成为设计者和工程师的重要选择。