晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 2.5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 625mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@10mA,2V | 特征频率(fT) | 160MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 7mV@0.1A,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息
ZXT11N20DFTA是一款高性能的NPN型双极型晶体管,特别设计用于各种低功耗和高频应用。这款产品由美台半导体品牌DIODES制造,采用表面贴装(SMD)封装类型,封装形式为SOT-23-3。其出色的电流、功率和温度特性使其成为许多电子电路设计中的理想选择。
电气特性
ZXT11N20DFTA的主要电气特点包括:
应用领域
ZXT11N20DFTA广泛应用于多种电子项目中,尤其是以下领域:
总结
ZXT11N20DFTA是一款性能优越的NPN三极管,适用于多种电子设备的设计需求。凭借其强大的电流处理能力、适应苛刻环境的工作温度范围和出色的增益特性,这款晶体管在多个行业的电子产品中得到了广泛的应用。其小型化的表面贴装封装还使得PCB设计更加灵活,为电子工程师提供了多样的设计方案选择。综上所述,ZXT11N20DFTA无疑是一款值得信赖的高性能电子元器件。