B1100BQ-13-F 产品实物图片
B1100BQ-13-F 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

B1100BQ-13-F

商品编码: BM0000287598
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SMB
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 790mV@1A 100V 500uA@100V 1A SMB
库存 :
2784(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.03
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.03
--
200+
¥0.791
--
1500+
¥0.688
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

B1100BQ-13-F参数

正向压降(Vf)790mV@1A直流反向耐压(Vr)100V
整流电流1A反向电流(Ir)500uA@100V

B1100BQ-13-F手册

B1100BQ-13-F概述

B1100BQ-13-F 产品概述

基本信息

B1100BQ-13-F是一款高性能肖特基二极管,由著名的半导体制造公司DIODES(美台)研发和生产。其设计旨在满足现代电子设备对快速开关和高效率的要求,广泛应用于电源整流、逆变电路、以及其他需要快速恢复和低正向电压降的场合。该二极管的封装类型为SMB(DO-214AA),适合表面贴装应用,能够有效节省空间,同时提供优良的散热性能。

主要参数

  1. 电压 - DC 反向 (Vr): B1100BQ-13-F的最大反向电压为100V,这使得它适合于高电压电路中的整流和保护用途。

  2. 电流 - 平均整流 (Io): 本器件的持续整流电流为1A,能够满足大多数中低功率应用的需求。

  3. 正向压降 (Vf): 在1A的工作条件下,该二极管的正向电压降为790mV,这相较于传统二极管明显减少了功率损耗,提高了整体效率。

  4. 反向泄漏电流: 在最大反向电压100V的情况下,反向泄漏电流为500µA,表明该器件在高电压下具备良好的绝缘特性,从而减少了不必要的能量损失。

  5. 开关速度: B1100BQ-13-F的快速恢复特性使其具有优于500ns的恢复时间,这对于高频应用尤其重要。其能够有效减少开关损耗,提高系统的整体响应速度。

  6. 工作温度范围: 执行工作的结温范围为-65°C至150°C,表明其在极端环境下的可靠性,使其适用于多种工业和消费类电子产品。

  7. 电容特性: 在4V和1MHz频率下的结电容为80pF,这一参数对于高频信号电路尤为重要,有助于降低输入信号的失真。

应用领域

B1100BQ-13-F广泛应用于各种电子设备,主要包括:

  • 开关电源:由于其高效率和低正向电压降,B1100BQ-13-F适合用作开关电源中的整流和逆变器,能够有效转换和管理电能。

  • 电池管理系统:在电池充电和放电过程中,该二极管可以用于降低功耗,并保护电池免受过电压和过电流的损害。

  • 通信设备:由于其快速开关能力,适合用于各类高频信号处理的电路,例如射频和微波设备。

  • LED驱动电路:在LED驱动电源中,可以有效提高效率,减少热量损失,从而延长LED的使用寿命。

竞争优势

作为一款高效的肖特基二极管,B1100BQ-13-F具有以下竞争优势:

  • 高效率:由于较低的正向电压降和反向泄漏电流,能够在大多数应用中提供优秀的能效。

  • 可靠性:工作温度范围宽广,能够在苛刻的环境下可靠工作。

  • 表面贴装设计:SMB封装使得其在空间受限的应用中更加便捷,安装方便。

结论

总的来说,B1100BQ-13-F是一款综合性能优良的肖特基二极管,适合于各种对快速开关、高效率以及低功耗要求的电子应用。无论是在电源管理、通信设备还是其他电子产品中,该二极管都能发挥出色的性能,减少整体系统的功耗,并提升产品的可靠性。选择B1100BQ-13-F,将为您的设计和应用提供一种高效、可靠的解决方案。