
| 晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 150@10uA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |

BC847BTT1G是一款高性能的NPN型双极结晶体管(BJT),广泛应用于低功耗和高频率的电子电路中。此器件采用表面贴装技术(SMD),其封装为小型SC-75(SOT-416),非常适合现代电子设备对空间和重量的严格要求。BC847BTT1G不仅实现了优异的电气特性,同时还具备可靠的工作温度范围,满足多种工作环境的需求。
BC847BTT1G的主要参数如下:
BC847BTT1G的优异性能使其适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
BC847BTT1G的设计具有以下几点显著优势:
作为一款高度集成的NPN晶体管,BC847BTT1G无疑是现代电子设计的理想选择。其优异的电气特性、宽广的应用范围、以及出色的环境适应性,使其在多种电子产品中都占有一席之地。无论是在音频设备、开关装置,还是在复杂的数字系统中,BC847BTT1G都能够帮助工程师实现高效的电路设计,并推动更高效、更智能的电子产品的开发。选择BC847BTT1G,代表了对品质、性能和技术的追求,助力实现更灵活、更创新的电子解决方案。