漏源电压(Vdss) | 100V | 连续漏极电流(Id) | 17A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.6mΩ@6V,17A | 功率(Pd) | 195W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 48nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.81nF@50V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF@50V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
CSD19532Q5B 产品概述
CSD19532Q5B 是由德州仪器(TI)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,采用表面贴装型 8-VSON-CLIP(5x6)封装。这款 MOSFET 的设计旨在满足高电流和高电压应用中的需求,尤其适用于开关电源、电机驱动和功率管理等领域。其卓越的导通电阻和较高的功率耗散能力使其在性能上表现出色,成为众多电子设计工程师的优选产品。
CSD19532Q5B 的一些关键参数包括:
最大漏极电流 (Id): 在 25°C环境温度下,CSD19532Q5B 能够持续承载高达 100A 的电流。这为高负载应用提供了理想的解决方案。
漏源电压 (Vdss): 本产品的最大漏源电压为 100V,使其能够在多种高压环境下稳定工作,适用于变换器和电源系统。
导通电阻 (Rds(on)): 在驱动电压为 10V 时,其最大导通电阻为 4.9 毫欧(@ 17A)。这表明在大电流通过时,其发热量低,能够有效降低热损耗,提高系统效率。
栅极驱动电压 (Vgs): CSD19532Q5B 的栅极驱动电压范围为 6V 到 10V,确保在多种控制电路中能够方便使用。
工作温度范围: 该器件在 -55°C 到 150°C 的温度范围内稳定运行,适合各种工业应用及严苛环境。
CSD19532Q5B 设计用于广泛的应用场景,主要包括:
DC-DC 转换器: 作为开关元件,CSD19532Q5B 能够有效提升转换效率,减小功耗。
电机驱动: 该 MOSFET 的高电流处理能力和低 Rds(on) 特性使其成为电机驱动电路中理想的选择,有助于提高机械部分的响应速度和效率。
高效电源管理: 在各种电源管理电路中,CSD19532Q5B 能够实现快速开关和高效能,使整体系统设计更加精简、有效。
电池管理系统: 其高功率耗散能力和温度适应范围,使得该器件非常适合用于电池管理系统中,保障系统安全可靠运行。
低导通电阻: 使得器件在不降低性能的情况下能够承担更大的电流,显著减小热量生成,并提高总体系统的效率。
高温和高电压容忍度: 宽广的工作温度范围使 CSD19532Q5B 能够在严苛环境下稳定运行,增加了设计的灵活性。
良好的开关特性: 低输入电容(Ciss)4810pF @ 50V,结合最大栅极电荷(Qg)62nC @ 10V,确保能够快速响应,提高开关速度,减小开关损耗。
可靠性与稳定性: 采用 TI 的先进工艺制造,CSD19532Q5B 提供了良好的电气性能和机械稳定性,确保在各类应用中具有长期可靠的表现。
作为一款高效的 N 通道 MOSFET,CSD19532Q5B 提供了出色的电气性能和广泛的应用潜力,能够满足现代电子产品对高性能、低功耗设计的要求。无论是在开关电源、工业控制还是电机驱动等应用中,CSD19532Q5B 都能够为设计者带来更多的灵活性和创新空间,助力开发更高效、更智能的电子系统。选择 CSD19532Q5B,意味着选择了可靠的性能和优秀的设计理念。